華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

參數(shù)名稱 符號 參數(shù)名稱 符號

開通延遲時間 td(on) 關(guān)斷延遲時間 td(off)

上升時間 tr 下降時間 tf

開通時間 ton 關(guān)斷時間 toff

開通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

反向恢復電流 IRM 反向恢復電荷 Qrr

反向恢復時間 trr 反向恢復損耗 Erec

2.7測試夾具 1、控制方式：氣動控制 2、控溫范圍：室溫—150℃ 室溫—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3% 3、電源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W 4、夾具能安裝不同規(guī)格的適配器，以測試不同規(guī)格的器件，不同模塊需要配備不同的適配器，設(shè)備出廠時配備62mm封裝測試夾具、EconoPACK3封裝測試夾具、34mm封裝測試夾具各一套，但需甲方提供適配器對應器件的外形圖；1開通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。 2.8環(huán)境要求 環(huán)境溫度：15～35℃ 相對濕度：小于70% 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa 壓縮空氣：不小于0.4MPa 電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴重諧波，三線制 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz