LED芯片生產(chǎn)工藝流程

外延片制作出來(lái)以后，就可以按照下面的流程來(lái)制作 LED 芯片了：

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→窗口圖形光刻→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。

在生長(zhǎng)完外延片后，下一步就開始對(duì) LED 外延片做電極（P 極，N 極），接著就開始用激光機(jī)切割 LED 外延片（以前切割 LED 外延片主要用鉆石刀），制造成芯片，然后在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試，看看是否合格。

從上面可以看到 LED 外延片和芯片的生產(chǎn)離不開 MOCVD 、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、減薄機(jī)、劃片機(jī)、檢測(cè)設(shè)備等高i精尖設(shè)備。 LED 芯片產(chǎn)業(yè)屬于重資產(chǎn)行業(yè)，從事該行業(yè)需要先重金購(gòu)買先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，還需要配置潔凈無(wú)塵廠房，同時(shí)在各個(gè)環(huán)節(jié)還需要大量的工人。所以該行業(yè)是典型的：資金密集型、勞動(dòng)密集型和技術(shù)密集型同時(shí)具備的產(chǎn)業(yè)。

外延生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。

目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。

MOCVD介紹：

金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(metal-Organic Chemical Vapor Depoisition，簡(jiǎn)稱 MOCVD)， 1968年由美國(guó)洛克威爾公司提出來(lái)的一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。

該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計(jì)算機(jī)多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖i端光電子設(shè)備，主要用于GaN(氮化家)系半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)蕞有發(fā)展前途的設(shè)備之一。

LED芯片的分類——MB芯片

LED芯片的分類有哪些呢？

MB芯片定義與特點(diǎn)

定義：metal Bonding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的專i利產(chǎn)品。

特點(diǎn)：

(1)采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底，散熱容易。Thermal Conductivity;GaAs：46W/m-K;GaP：77W/m-K;Si：125～150W/m-K;Cupper:300~400W/m-k;SiC：490W/m-K。

(2)通過(guò)金屬層來(lái)接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時(shí)反射光子，避免襯底的吸收。

(3)導(dǎo)電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。

(4)底部金屬反射層，有利于光度的提升及散熱。

(5)尺寸可加大，應(yīng)用于High power領(lǐng)域，eg:42mil MB。

LED顯示屏生產(chǎn)廠家如何面對(duì)芯片漲價(jià)

在傳統(tǒng)LED大屏幕顯示技術(shù)和產(chǎn)品的基礎(chǔ)上,LED顯示應(yīng)用產(chǎn)品在行業(yè)市場(chǎng)中的份額逐年增加。LED上游產(chǎn)業(yè)發(fā)展對(duì)顯示應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的發(fā)展促進(jìn)作用明顯。LED產(chǎn)業(yè)鏈上下游之間實(shí)現(xiàn)良性互動(dòng),新產(chǎn)品、新技術(shù)推廣應(yīng)用迅速,基于LED芯片材料、驅(qū)動(dòng)IC、控制等技術(shù)的發(fā)展,行業(yè)內(nèi)許多企業(yè)在LED綜合應(yīng)用、半導(dǎo)體照明、燈飾亮化工程等方面形成了一定的技術(shù)基礎(chǔ)和生產(chǎn)工程基礎(chǔ)。

 　　發(fā)光二極管(LED)上游外延和芯片價(jià)格漲價(jià),全球LED大廠晶電,已經(jīng)向下游封裝龍頭廠釋出漲價(jià)的訊息；廣光電董事長(zhǎng)陳進(jìn)財(cái)證實(shí)，已對(duì)韓國(guó)首爾半導(dǎo)體漲價(jià)5%至10%。由于LED廠廣泛運(yùn)用在電視、筆電、照明等產(chǎn)品上，預(yù)期終端產(chǎn)品的價(jià)格可能也會(huì)跟進(jìn)漲價(jià)。 　　由于零組件缺貨,使得電子產(chǎn)品的價(jià)格從以往固定跌價(jià)變成不跌反漲,LED芯片價(jià)格過(guò)去每年都是下滑二成,今年卻要漲價(jià),此波從二線廠先漲起,包括璨圓、廣、新世紀(jì)、泰谷等,這些業(yè)者在產(chǎn)能爆滿下,已悄悄的漲價(jià)；而晶電的產(chǎn)能與營(yíng)收是二線廠的四倍以上,在龍頭廠跟進(jìn)后,整體產(chǎn)業(yè)鏈都會(huì)帶來(lái)價(jià)格壓力。LED顯示產(chǎn)品也不能幸免?；蚨嗷蛏俣紩?huì)受到影響。

 　　有的企業(yè)面對(duì)漲價(jià)的局面，開始從根基改變，進(jìn)行的技術(shù)創(chuàng)新。我國(guó)LED顯示應(yīng)用行業(yè)在新技術(shù)、新產(chǎn)品開發(fā)方面一直具有良好的基礎(chǔ)。適應(yīng)LED顯示屏應(yīng)用市場(chǎng)的需求變化,2009年,行業(yè)內(nèi)的許多企業(yè)在產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)、和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)等方面積極開展了工作,許多新技術(shù)成果直接用于國(guó)慶60周年慶典等重點(diǎn)工程,取得了良好的效果。部分企業(yè)承擔(dān)了國(guó)家和地方政府的有關(guān)科技項(xiàng)目研究,業(yè)內(nèi)大批企業(yè)獲得高新技術(shù)企業(yè)資格。