硅膠真空鍍膜設備

工藝特點

（1）廣泛應用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機涂層材料等。

（2）在產量方面，從單件到大批量皆可。

（3）有質量優(yōu)勢，沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。

（4）工具涂層的生產效率不如PVD，具體取決于特定技術要求和輔助工藝。

化學氣相沉積曾是真空技術廣泛用于陶瓷沉積的種技術，特別是對工具涂層更是這樣。

鍍膜機工藝在太陽能運用方面的運用當需求有用地運用太陽熱能時，就要思考選用對太陽光線吸收較多、而對熱輻射等所導致的損耗較小的吸收面。太陽光譜的峰值大約在波長為2-20μm之間的紅外波段。

涂層技術

增強型磁控陰極?。宏帢O弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態(tài)，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優(yōu)異。

過濾陰極?。哼^濾陰極電弧(FCA)配有的電磁過濾系統(tǒng)，可將離子源產生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾干凈，經過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%，并且可以過濾掉大顆粒，因此制備的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。

采用化學氣相沉積處理時，應注意以下問題：

（1）要考慮模具銳角部分的凸起變形

由于涂層與基體的線脹系數不同，模具棱角處容易產生應力集中，基材會被擠出形成凸起?？梢圆扇〉慕鉀Q方法是：將銳角處加工成圓弧狀，或是估計凸起變形量的大小，預先加工成錐形。

（2）CVD沉積溫度高而帶來的尺寸和形狀變形

其變形程度取決于所選用的材料、形狀、沉積溫度、涂層厚度以及預備熱處理等。

在CVD處理過程中，尺寸變形小的材料是硬質合金及含Cr高的不銹鋼系合金；沖壓加工領域使用的模具材料主要限于合金工具鋼、冷作模具鋼（Cr12MoV）、硬質合金等，其中快冷淬透鋼，由于快冷時容易產生翹曲、扭曲等變形，所以不宜進行CVD處理；而高速鋼是熱處理膨脹較大的鋼種，使用時必須充分估計其膨脹變形量。