臭氧微納米氣泡清洗

用臭氧納米氣泡水清洗后的殘余液體的RLU值和被血夜環(huán)境污染的布的RLU值遠小于離子交換法水。RLU值越低，則ATP的成分越少，潔凈度越高，因而，能夠確立因為活性氧的空氣氧化造成的ATP除去實際效果（潔凈度）。除此之外，在微納米氣泡中也能夠見到ATP除去實際效果，雖然實際效果不大。另一方面，在由濕的臟布的透射率得到的清理率中，未觀查到因為清洗液的差別而造成的顯著實際效果。殊不知，在被血夜環(huán)境污染的布的清理率中，臭氧納米氣泡的清理率高過離子交換法水的清理率，而且清理實際效果獲得認同。由科研支助B支助（24300249，山口洋子）。

納米氣泡的存在以證實

Brenner和Lohse明確提出的疏水表層上納米氣泡的穩(wěn)定平衡實體模型早已拓展到親水性表層上的納米氣泡，另外考慮到了分子間作用力汽體分子結(jié)構(gòu)和固態(tài)表層：在本實體模型中，納米氣泡內(nèi)部的工作壓力在于與固態(tài)表層的間距;在親水性表層上，汽體從納米氣泡中擴散出來，而在疏水表層上，汽體則外擴散到氣泡中。在別的標(biāo)準(zhǔn)同樣的狀況下，疏水性表層上的納米氣泡的高寬比超過吸水性表層上的納米氣泡的高寬比。因為工作壓力在于實體模型中與固態(tài)表層的間距，因而本實體模型拷貝了總寬為μm，高寬比為1nm的μm即便在吸水性表層上，甚少餅在水里也很平穩(wěn)er在較高溫度下能因汽體飽和狀態(tài)而減少，由于較高的飽和蒸氣壓會造成空氣壓力減少。

納米氣泡清潔

希望對這種微納米氣泡機制的研究將在清潔技術(shù)方面取得重大突破。 實際上，我們已經(jīng)通過采取簡單的措施成功地使用微納米氣泡將光刻膠的去除率提高了約5倍。

后但并非不重要的一點，我想簡要介紹一下納米氣泡。引入了氣泡的表面電勢作為與清潔相關(guān)的機制，但是當(dāng)考慮納米氣泡時，表面電勢實際上非常重要。由于納米氣泡是小于光波長的物體，因此很難觀察。