國(guó)際性鋰電池回收現(xiàn)行政策

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。

國(guó)際性鋰電池回收現(xiàn)行政策 

1991年歐洲共同體施行實(shí)施充電電池命令（91/157/EEC），并隨之充電電池產(chǎn)業(yè)鏈的迅速發(fā)展趨勢(shì)和環(huán)境保護(hù)規(guī)定的不斷提升，前后左右2次修定并各自頒布了充電電池命令（93/86/EEC）和（98/101/EEC）。2006年歐洲共同體公布鋰電池回收新命令（2006/66/EC），要求其理事國(guó)鋰電池回收再運(yùn)用總體目標(biāo)在2016年9月26日以前充電電池綜合性利用率超過45%，工業(yè)生產(chǎn)充電電池保持收購(gòu)；后于2008年填補(bǔ)公布了廢料架構(gòu)命令（2008/98/EC），對(duì)廢舊電池類型深化細(xì)分化，確立鋰電池回收等級(jí)。  

1993年日本國(guó)修定《節(jié)能法》并一起施行《再生能源法》合理布局鋰電池回收；于2000年政府部門實(shí)施“3R”方案（recycling/reuse/reduce），明確規(guī)定創(chuàng)建充電電池“循環(huán)系統(tǒng)-再運(yùn)用”收購(gòu)系統(tǒng)軟件。1991年和1994年英國(guó)陸續(xù)創(chuàng)立手持式充電鋰電池研究會(huì)（PRBA）充電電池和充電鋰電池回收商（PBRC），并制訂生態(tài)環(huán)境保護(hù)規(guī)范輔助鋰電池回收。

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會(huì)改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。

電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)

印刷厚度：絲網(wǎng)和感光膜的厚度決定印刷后圖形的厚度即線條的厚度，如圖 10 所示，在一般情況下，絲網(wǎng)目數(shù)越低，絲經(jīng)越粗，印刷后的漿料層就越高，所用絲網(wǎng)目數(shù)較高時(shí)，印刷后漿料層就低一些。感光膜的厚度與絲網(wǎng)目數(shù)和線條的寬度有關(guān)：目數(shù)越高，絲徑越細(xì)，感光膜與絲網(wǎng)的接觸面積越小，二者的附著力減小，

果印刷線條變窄，增加感光膜的厚度易造成脫落，所以感光膜較薄，感光膜的厚度約為絲網(wǎng)厚度的 15 ％～ 25 ％；對(duì)于背鋁和背銀工序，選取250 目絲網(wǎng)，其厚度為 58um，感光膜厚度為 10 ～ 15um ，則印后厚度為 68 ～ 73μm ，這里計(jì)算出來(lái)的厚度時(shí)漿料的濕厚度（ wetthickness ）．需經(jīng)過烘干（ dry ）和燒結(jié)（ fire ）才是終厚度（干厚度），干厚度是濕厚度的 30% ～ 40% ；對(duì)于正銀工序，選取 330 目絲網(wǎng)，其厚度為 44um ，感光膜厚度為 5 ～ 10μm ，則印后濕厚度約為 49 ～ 54μm 。  

選擇絲網(wǎng)絲徑及目數(shù)時(shí)，要求網(wǎng)格的孔長(zhǎng)為漿料粉體粒徑的 2.5 ～ 5 倍；目數(shù)越低絲網(wǎng)越稀疏，網(wǎng)孔越大，油墨通過性就越好；網(wǎng)孔越小，油墨通過性越差，如圖 9 所示。  

網(wǎng)框 ：網(wǎng)框大多采用硬鋁及鋁合金以承受繃網(wǎng)所產(chǎn)生的力，連接絲網(wǎng)的底面需要較高的平面度，約為 0.04mm × 150mm × 150mm ; 網(wǎng)框規(guī)格一般為承印物的 2 倍：以 150mm 電池片為例，承印物面積為

150mm × 150mm ，網(wǎng)框內(nèi)口的面積應(yīng)為300mm × 300mm  。