太陽電池片標(biāo)準(zhǔn)

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5.1.5   尺寸

電池尺寸的檢驗(yàn)采用分辨力優(yōu)于0.02mm 的卡尺測量，電池的厚度采用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的千分尺測量。

電池的角度偏差采用分辨力優(yōu)于0. 1° 的量角器測量。

電池的厚度偏差和總厚度偏差檢驗(yàn)參照 GB/T6618 進(jìn)行

5.1.6   外觀

在照度不小于 800Lux的白色光源下對電池的表面顏色進(jìn)行目測。

電池的崩邊、鈍性缺口等外觀缺損的尺寸檢測，采用分辨力優(yōu)于 0.02mm 的量具測量。 5.2 力學(xué)性能

5.2.1   彎曲變形

使用表面平整度優(yōu)于0.01mm 平臺，電池背面朝下水平放置，用分辨力優(yōu)于 0.01mm 的量具進(jìn)行檢驗(yàn)。

5.2.2   電極附著強(qiáng)度或電極 / 焊點(diǎn)抗拉強(qiáng)度

電極的附著強(qiáng)度和電極 / 焊點(diǎn)的抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)采用同一方法，。將一根長 150mm ，寬 1.7mm 的焊錫條引線焊接在電池電極上，焊接長度為 10mm ，焊接質(zhì)量以不虛焊為準(zhǔn)，在與焊接面成 45 °對引線施加拉力，逐漸加大拉力，在拉力不低于 2.49N 的情況下持續(xù) 10s 以上。

5.3 電性能

5.3.1   電性能參數(shù)的溫度系數(shù)測量電池的溫度系數(shù)測量按SJ/T 10459  進(jìn)行。

5.3.2 電性能參數(shù)測量

電池的電性能參數(shù)測量按GB/T6495.1 和 GB/T6495.3進(jìn)行。

5.3 熱循環(huán)試驗(yàn)

將測試電池樣品間隔的放置在環(huán)境試驗(yàn)箱（相對濕度小于 60% ）中，按圖 4 的溫度分布，使電池的溫度在 -40 ℃± 2 ℃ 和 85 ℃± 2 ℃ 之間循環(huán)。在兩個(gè)極端溫度的保持時(shí)間不少于 10min ，循環(huán)次數(shù) 5 次。再按本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定對電池的外觀、力學(xué)性能和電池轉(zhuǎn)換效率進(jìn)行檢測。

電池片流程

電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會厚薄不均，放片時(shí)需 180 度錯落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向，預(yù)防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導(dǎo)致原硅片粘連，放置時(shí)需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進(jìn)行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時(shí)間為兩小時(shí)，兩小時(shí)內(nèi)要及時(shí)送入下一工序。

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異常現(xiàn)象 

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時(shí)間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時(shí)，各向異性系數(shù)縮小，絨面會愈來愈差，類似打磨拋光?？煽匦运剑号cIPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會很強(qiáng)烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點(diǎn)兒Na2SiO3多的那時(shí)候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑?？煽匦运剑簺]辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘?jiān)蛩峋邆渌岷徒j(luò)合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。