塑料中含有水分、殘留溶劑、單體、低聚合物、增塑劑等，揮發(fā)性小分子會(huì)在真空或升溫環(huán)境下逸出表面，嚴(yán)重影響真空鍍層對基材的附著力，而采用底涂技術(shù)就可阻礙這些小分子的逸出，提高真空鍍層對基材的附著力。

塑料基材與真空鍍層通常為金屬)兩者熱膨脹系數(shù)相差很大，在真空鍍膜升溫、降溫過程中膜層容易，膜層越厚，的可能性越大，因此選用合適的涂層作為過渡層，可以減少內(nèi)應(yīng)力的積累和的發(fā)生

物理氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材廣泛、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，物理氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下，因此可作為終的處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類的薄膜刀具上。但水電鍍有個(gè)缺陷，只能鍍ABS料和ABS PC料(此料鍍的效果也不是很理想)。由于采用物理氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能，人們在競相開發(fā)、高可靠性設(shè)備的同時(shí)，也對其應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展，尤其是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷類刀具中的應(yīng)用進(jìn)行了更加深入的研究。

真空鍍膜的方法很多，計(jì)有：(1)真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達(dá)到約13.3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結(jié)而成薄膜。(2)陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強(qiáng)約1.33～13.3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電，帶正電的離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。(3)化學(xué)氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物，獲得沉積薄膜的過程。高真空離子鍍適用范圍比較廣，如ABS料、ABS PC料、PC料的商品。(4)離子鍍：實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合，兼有兩者的工藝特點(diǎn)。表6-9列出了各種鍍膜方法的優(yōu)缺點(diǎn)。

Parylene在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)點(diǎn):

惡劣環(huán)境下線路板保護(hù)涂層，列入美軍標(biāo)MIL-I-46058C；滿足IPC-CC-830B

涂敷過程中不存在任何液態(tài)，無普通液體防護(hù)涂層的難以避免的流掛，氣孔、厚薄不均等嚴(yán)重缺陷；

*水分子透過率極低，僅為常見的有機(jī)硅樹脂的千分之一；

*聚合生長的成膜方式阻止了離子在涂層和基板界面的擴(kuò)散，消除了常見的涂層下枝狀腐蝕。

*表面憎水特性進(jìn)一步降低潮濕和離子污染的不利影響；

*滲入芯片與基板間的微細(xì)間隙（甚至達(dá)10μm），提供完整的保護(hù)；

*大幅增強(qiáng)芯片-基板間導(dǎo)線（25μm粗細(xì)）的連接強(qiáng)度；