鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對(duì)膜層沉積的影響

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時(shí)與氣體分子碰撞的次數(shù)增多，同時(shí)等離子體密度也減弱，動(dòng)能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差。

靶功率；磁控濺射本身粒子初始動(dòng)能比較小，離化率低，電源功率越大，濺射出的粒子的初始能量越大，靶材濺射量也越大，沉積速率越快，膜層容易上厚度和硬度，同時(shí)工件溫升也大，過高的功率會(huì)使沉積速率太快，粒子來不及表面遷移和擴(kuò)散，易形成陰影效應(yīng)，膜層會(huì)比較疏松，應(yīng)力較大。電子束蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為：①電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠(yuǎn)比電阻加熱源更大的能量密度。

佛山市錦城鍍膜有限公司以耐高溫車輛燈具注塑 鍍膜為主的專業(yè)生產(chǎn)廠家，公司秉承“以質(zhì)取勝，求真務(wù)實(shí)，顧客至上”理念，歡迎廣大客戶光臨了解,我們將為你的產(chǎn)品錦上添花.

電子束蒸發(fā)源蒸鍍法

將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn)，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。

光學(xué)薄膜應(yīng)用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)已有多年，中頻閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃目前廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。