試驗室集中供氣系統(tǒng)的優(yōu)點

針對過去使用中存在的問題，現(xiàn)代試驗室對載氣的使用環(huán)境進(jìn)行了改革，即 “集中供氣系統(tǒng)”，即將使用氣體（以下簡稱載氣）集中貯存，然后通過壓差的原理將氣體經(jīng)過金屬或其他材質(zhì)管路送至用氣點。其優(yōu)點主要有以下幾點：

1、首先解決氣瓶的放置問題。氣瓶間的位置如果可能盡量位于與試驗室相對獨立的房間，如果與試驗室在同一大樓內(nèi)，則氣瓶間的位置要盡量位于人1流較少并且獨立的房間，這種方式可使氣瓶與工作人員及儀器完全隔離，即使有害氣體有泄漏，也不會發(fā)生直接傷害。因為氣瓶間是相對獨立的，整個氣路系統(tǒng)壓力最1大的地方也是氣瓶出口處，因此這種方式將氣瓶壓力可能發(fā)生的危險縮小至氣瓶間內(nèi)，可對人體及儀器的傷害可降到最1低。

2、其次氣體混合的問題。將所有載氣氣瓶根據(jù)氣體性質(zhì)分別集中在一個氣瓶間中與助燃?xì)怏w分開存貯。

3、再次是解決氣瓶壓力的問題。每種氣體可以將多瓶氣體并聯(lián)然后通過一個出口統(tǒng)一減壓后運送氣體至使用點。因為氣瓶間是相對獨立的，整個氣路系統(tǒng)壓力1大的地方也是氣瓶出口處，因此這種方式將氣瓶壓力可能發(fā)生的危險縮小至氣瓶間內(nèi)，可對人體及儀器的傷害可降到1低。2、閥座檢漏法采用閥門上游充氦氣，下游抽真空的方法檢漏，測試管路系統(tǒng)的泄漏率。

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電子特氣管道系統(tǒng)氦檢漏檢測規(guī)定

1、氦檢漏儀表應(yīng)采用質(zhì)譜型氦檢測儀，其檢測精度不得低于1*10-10mbar*l/s。

2、特氣系統(tǒng)，內(nèi)向測漏法測定的泄漏率不得大于1*10-9mbar*l/s;

3、閥座測漏法測定的泄漏率不得大于1*10-6mbar*l/s;

4、外向測漏法測定的泄漏率不得大于1*10-6mbar*l/s。

氦檢漏發(fā)現(xiàn)的泄漏點經(jīng)修補后，應(yīng)重新經(jīng)過氣密性試驗，合格后再按規(guī)定進(jìn)行氦檢漏。所有可能泄漏點應(yīng)用塑料袋進(jìn)行隔離。系統(tǒng)測試完畢，應(yīng)充入高純氮氣，并進(jìn)行吹掃。測試完畢后，應(yīng)提交測試報告。

特種氣體使用安全

首先,應(yīng)對特氣的危害性進(jìn)行分析,通過本質(zhì)安全設(shè)計,消除安全隱患。根據(jù)行業(yè)規(guī)范,對特氣房選址、安全間距、防火分區(qū)、房間通風(fēng)、電氣防爆等進(jìn)行評估。管道設(shè)計應(yīng)進(jìn)行保壓和氦測漏,確保系統(tǒng)密閉性。鋼瓶和管道閥門應(yīng)選用隔膜或波紋管密封閥門。管道系統(tǒng)應(yīng)采用焊接系統(tǒng),機械接頭均應(yīng)置于抽風(fēng)罩內(nèi)。排放氣體應(yīng)進(jìn)行安全處理。氣體輸送設(shè)備具有緊急切斷功能。氦質(zhì)譜檢漏儀真空檢漏的方法很多，氦質(zhì)譜檢漏儀的使用大大提升了檢漏工作效率。操作應(yīng)遵循標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程。

其次,采用監(jiān)測手段,預(yù)防事故發(fā)生。設(shè)置氣體泄漏偵測器,監(jiān)控氣體泄漏。可燃性氣體應(yīng)設(shè)置高溫或火焰?zhèn)蓽y器。危險氣體應(yīng)設(shè)置過流開關(guān)。特氣系統(tǒng)氣柜應(yīng)進(jìn)行負(fù)壓監(jiān)測,防止抽風(fēng)系統(tǒng)的失效。偵測系統(tǒng)應(yīng)與報警和緊急切斷連鎖。系統(tǒng)還應(yīng)進(jìn)行遠(yuǎn)程監(jiān)控。便會發(fā)生燃燒爆1炸事故因此在可燃?xì)怏w入口處、氣體鋼瓶存放間、潔凈室內(nèi)使用可燃?xì)怏w處、敷設(shè)可燃?xì)怏w的管廊或技術(shù)夾層以及可能聚集可燃?xì)怏w的場所均應(yīng)設(shè)置可燃?xì)怏w報警裝置。監(jiān)控系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置不間斷電源。

小流量氣體凈化系統(tǒng)

高純供氣系統(tǒng)主要應(yīng)用于鋼瓶氣、管道氣及氣體發(fā)生器等的高純連續(xù)供氣，應(yīng)用于超微量水、氧分析儀、氣相色譜儀、常壓離子質(zhì)譜儀等各類氣體分析儀器純化載氣或零點氣，也可用于超高純度氣體管道安裝施工中的吹掃氣體，更可以為半導(dǎo)體工藝設(shè)備提供超高純的工藝氣體。高純氣體的輸送管路系統(tǒng)隨著微電子工業(yè)的發(fā)展，超大規(guī)模集成電路制造的硅片尺寸越做越大，要求半導(dǎo)體制造工藝中的氣體品質(zhì)相應(yīng)越來越高，對氣體中雜質(zhì)和露1點要求極為嚴(yán)格，需要達(dá)到ppb、ppt級，塵埃粒徑求控制小于0。

氣體凈化系統(tǒng)根據(jù)需求采用常溫或者高溫吸附劑，電化學(xué)拋光316L不銹鋼管件，出氣口配置微米過濾器，其氣體純化指標(biāo)達(dá)到各項雜質(zhì)含量小于1ppb的世界先進(jìn)水平。

氣體配比儀采用質(zhì)量流量計，電化學(xué)拋光316L不銹鋼管件，雙卡套或者VCR氣體接頭。