電子廠如何處理焊錫廢氣?

　　低溫等離子法

　　低溫等離子法的原理是在使用高壓靜電法的同時，在靜電場的前端建立等離子體場，利用其能量激發(fā)的大量自由基降解煙灰顆粒，降低其粘度。在等離子體產生過程中，高頻放電產生的瞬時能量可以打開有害氣體的化學鍵，將它們分解成元素原子或無害分子。該技術是目前市場上油煙和煙氣的處理技術，去除率可達90%以上，處理后的氣體達到排放標準，維護方便。

常用的有機廢氣處理工藝

使用活性炭吸附法處理VOCs達標排放實際運維費用是十分高昂的，同時自然吸、脫附管理難、適用性受多種因素影響，不適合含粉塵、水汽、乳狀物等廢氣處理，難穩(wěn)定環(huán)保達標。且大量飽和后的活性炭處理更耗費巨大，該方法僅是將污染物吸附轉移，如對飽和后活性炭轉移過程無嚴格把關跟蹤，則極易造成二次污染。但因前期投資少，企業(yè)自然選用較多，現雖監(jiān)管難（炭箱內沒有活性炭，活性炭設施過于簡陋、幾乎不換炭，活性炭選用與實際設計不符，使用量過少等），但環(huán)保部門終會有所行動的，存在著巨大環(huán)保風險‘

廢氣處理工藝——光催化氧化工藝

光催化氧化工藝簡介

光化學和光催化氧化法是目前研究較多的一種高1級氧化技術。光催化反應即在光的作用下進行的化學反應。分子吸收特定波長的電磁輻射后，是分子達到激發(fā)態(tài)，然后發(fā)生化學反應，產生新的物質，或成為熱反應的引發(fā)劑。

光催化氧化工藝原理及流程

VOCs廢氣處理9大工藝、適用范圍、成本控制

Ti02作為一種半導體材料其自身的光電特性決定了它可以用作光催化劑。半導體的能帶結構通常是一個電子填充低能量價帶（VB）和一個空的高能量的導帶（CB），導帶和價帶之間的區(qū)域被稱為禁帶。

當照射半導體的光能量等于或大于禁帶寬度時，其價帶電子被激發(fā)，跨過禁帶進入導帶，并在價帶中產生相應空穴。電子從價帶激發(fā)到導帶，激發(fā)后分離的電子和空穴都有一部分進一步進行反應。