真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜。真空鍍膜設(shè)備若有灰塵，將會影響真空鍍膜的效果和質(zhì)量。Parylene鍍膜加工廠

真空鍍膜設(shè)備真空熱處理是指金屬制件在真空或先抽真空后通惰性氣體條件下加熱，然后在油或氣體中淬火冷卻的技術(shù)。采用通氣對流加熱方式還可使加熱均勻，減少表面和心部的溫差，從而也減少畸變。

真空鍍膜應(yīng)用是真空應(yīng)用中的一個大分支，在光學(xué)、電子學(xué)、理化儀器、包裝、機械以及表面處理技術(shù)等眾多方面有著十分廣泛的應(yīng)用。

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理氣相沉積技術(shù)和化學(xué)氣相沉積技術(shù)。

物理氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法?；瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積的等離子化學(xué)氣相沉積等。

真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內(nèi)，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發(fā)或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。

對于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。

在真空條件下成膜有很多優(yōu)點：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。

蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。

在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發(fā)或濺射，使其在被涂覆的物體（稱基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。

納米鍍膜技術(shù)及研發(fā)使用配方, 能在金、銀、鎢、鈷、鈀等不同表面形成2-10nm厚度左右的鍍層，從而使金屬表面具有良好的耐磨性、導(dǎo)電性能、耐腐蝕、耐高溫、防氧化及改變表面張力等特性，從而提升材料性能，可以的改善產(chǎn)品品質(zhì)。