LED芯片的制造工藝流程

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。

其實(shí)外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜的，在展完外延片后，下一步就開始對(duì)LED外延片做電極(P極，N極)，接著就開始用激光機(jī)切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鉆石刀)，制造成芯片后，在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試：

1、主要對(duì)電壓、波長(zhǎng)、亮度進(jìn)行測(cè)試，能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作，如果這九點(diǎn)測(cè)試不符合相關(guān)要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。

2、晶圓切割成芯片后，100%的目檢(VI/VC)，操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測(cè)。

3、接著使用全自動(dòng)分類機(jī)根據(jù)不同的電壓，波長(zhǎng)，亮度的預(yù)測(cè)參數(shù)對(duì)芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測(cè)試和分類。

4、蕞后對(duì)LED芯片進(jìn)行檢查(VC)和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心，藍(lán)膜上蕞多有5000粒芯片，但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒，芯片類型、批號(hào)、數(shù)量和光電測(cè)量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上，附在蠟光紙的背面。

LED芯片的分類——TS芯片和AS芯片

LED芯片的分類有哪些呢？

TS芯片定義和特點(diǎn)

定義：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP的專i利產(chǎn)品。

特點(diǎn)：

(1)芯片工藝制作復(fù)雜，遠(yuǎn)高于AS LED。

(2)信賴性卓i越。

(3)透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。

(4)應(yīng)用廣泛。

AS芯片定義與特點(diǎn)

定義：Absorbable structure (吸收襯底)芯片;經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力，臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類型芯片的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平，差距不大。

大陸芯片制造業(yè)起步較晚，其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。

(1)四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮。

(2)信賴性優(yōu)良。

(3)應(yīng)用廣泛。

LED芯片發(fā)展歷程

2003年6月中國(guó)科技部首i次提出我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體照明，標(biāo)志著我國(guó)半導(dǎo)體照明項(xiàng)目正式啟動(dòng)。

2006年的“十一五”將半導(dǎo)體照明工程作為國(guó)家的一個(gè)重大工程進(jìn)行推動(dòng)，在國(guó)家政策和資金的傾斜支持下，2010年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模超1500億元。

2011年國(guó)家發(fā)改委正式發(fā)布中國(guó)淘汰白熾燈的政府公告及路線圖，明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷售。2011年至2016年為淘汰白熾燈的過渡期，同時(shí)也是LED照明行業(yè)的快速發(fā)展期。

中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)起步階段，芯片主要依賴進(jìn)口。近年來，在國(guó)家政府政策支持下，我國(guó)LED芯片廠商加大研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)LED芯片行業(yè)發(fā)展迅速，產(chǎn)能逐漸向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，2017年國(guó)內(nèi)LED芯片供過于求苗頭初現(xiàn)，主流芯片廠開始轉(zhuǎn)向高i端產(chǎn)能并進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。