化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，我們公司堅(jiān)持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠(chéng)為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠(chéng)地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

1、適用范圍：適合于各單位實(shí)驗(yàn)室、高等院校實(shí)驗(yàn)室、教學(xué)等的項(xiàng)目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)：應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的主要過程

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。2、產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)：應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。由于PECVD技術(shù)是通過應(yīng)氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。一般說來,采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長(zhǎng)主要包含以下三個(gè)基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；

其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn)，同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級(jí)反應(yīng)；

然后，到達(dá)生長(zhǎng)表面的各種初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。

化學(xué)氣相沉積的過程介紹

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具體說來，基于輝光放電方法的PECVD技術(shù)，能夠使得反應(yīng)氣體在外界電磁場(chǎng)的激勵(lì)下實(shí)現(xiàn)電離形成等離子體。如果您想要了解更多化學(xué)氣相沉積的知識(shí)，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。在輝光放電的等離子體中，電子經(jīng)外電場(chǎng)加速后，其動(dòng)能通?？蛇_(dá)10eV左右，甚至更高，足以破壞反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵，因此，通過高能電子和反應(yīng)氣體分子的非彈性碰撞，就會(huì)使氣體分子電離（離化）或者使其分解，產(chǎn)生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場(chǎng)的加速與上電極碰撞，放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場(chǎng)，所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產(chǎn)生的中性物依擴(kuò)散到達(dá)管壁和襯底。這些粒子和基團(tuán)（這里把化學(xué)上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團(tuán)）在漂移和擴(kuò)散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會(huì)發(fā)生離子-分子反應(yīng)和基團(tuán)-分子反應(yīng)等過程。到達(dá)襯底并被吸附的化學(xué)活性物（主要是基團(tuán)）的化學(xué)性質(zhì)都很活潑，由它們之間的相互反應(yīng)從而形成薄膜。

ICP刻蝕機(jī)的原理

感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡(jiǎn)稱ICPE）是化學(xué)過程和物理過程共同作用的結(jié)果。（3）供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質(zhì)量流量控制器（MFC）精準(zhǔn)的控制氣體的流速和流量。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì)，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

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