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發(fā)布時(shí)間：2021-09-01 15:14
編輯：DD
ASEMI解析肖特基勢(shì)壘二極管工作原理：
隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。
快恢復(fù)二極管與肖特基二極管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二極管又會(huì)有什么樣的優(yōu)勢(shì)呢？
首先，我們來(lái)看一下一般的快恢復(fù)二極管。UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。
Schottky Barrier Diode:肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……
Schottky Barrier Diode:也有簡(jiǎn)寫為：SBD來(lái)命名產(chǎn)品型號(hào)前綴的。但SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。
因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
3、常用的肖特基二極管
常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型號(hào)。也就是常說(shuō)的插件封裝。
常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何命名為"SS"?
SCHOTTKY:取首字母"S",
SMD:Surface Mounted Devices 的縮寫，意為：表面貼裝器件，取首字母"S",
上面兩個(gè)詞組各取首字母、即為 SS,
電流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；
電流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超過(guò)440A 的必定是模塊。
肖特基的電壓是 200V,也就是說(shuō)，肖特基的極限電壓是200V.超過(guò)200V 電壓的也必定是模塊。
電流越大，電壓越低。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）。
10A、20A、30A 規(guī)格的有做到200V 電壓。除此外，都沒(méi)有200V 電壓規(guī)格。
