ICP刻蝕機(jī)簡(jiǎn)介

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一．系統(tǒng)概況

該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片（不超過(guò)Φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、

硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻膠、半導(dǎo)體材料、部分金屬等。設(shè)備具有選擇比高、刻

蝕速率快、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。具體描述如下：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)上開(kāi)蓋結(jié)構(gòu)；

2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，真空尺寸為400mm×400×197mm，

內(nèi)腔尺寸Ф340mm×160mm；

3.極限真空度：≤6.6x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣到5.0x10-3 Pa，20分鐘可達(dá)到（采用分子泵抽氣)；

停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；

5.樣品水冷：由循環(huán)水冷水機(jī)進(jìn)行控制；

7.ICP頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電極間距50mm；

8. 沉積工作真空：1-20Pa；

9. 氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

10. 射頻電源：2臺(tái)頻率 13.56MHz，功率600W，全自動(dòng)匹配；

11. 6路氣體，共計(jì)使用6個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/六氟化硫

12. 刻蝕速率

SiO2：≥0.5μm/min

Si：≥1μm/min

光刻膠：≥1μm/min

13. 刻蝕不均勻性：

優(yōu)于±5%（Φ4英寸范圍內(nèi)）

優(yōu)于±6%（Φ6英寸范圍內(nèi)）

14. 選擇比

CF4的選擇比為50,

化學(xué)氣相沉積的分類

化學(xué)氣相沉積的方法很多，如常壓化學(xué)氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學(xué)氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化學(xué)氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(metal-organic CVD，MOCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma enhanced CVD，PECVD）等?；瘜W(xué)氣相沉積法常見(jiàn)的使用方式是在某個(gè)晶體襯底上生成新的外延單晶層，開(kāi)始它是用于制備硅的，后來(lái)又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。

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等離子體化學(xué)氣相沉積

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等離子體化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激發(fā)并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。所有這些因素都對(duì)終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)本身及其測(cè)量結(jié)果的可靠性提出了更加嚴(yán)格的要求。