MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質(zhì)為100％純銅材料，黑膠部分采用復(fù)合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺(tái)灣健鼎的一體化測(cè)試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié).在品質(zhì)工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。

UL為美國(guó)安規(guī)認(rèn)證，是世界上安全試驗(yàn)和鑒定機(jī)構(gòu)整流橋

代表安全檢檢產(chǎn)品運(yùn)作良率是世界上安全試驗(yàn)和鑒定機(jī)構(gòu)

激光打標(biāo)，解決油墨絲印易掉色問(wèn)題，黑膠材質(zhì)是采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料

我司技術(shù)力量雄厚，可協(xié)同用戶(hù)研發(fā)、設(shè)計(jì)新產(chǎn)品，并可提供現(xiàn)場(chǎng)指導(dǎo)。

“誠(chéng)信”是強(qiáng)元芯屹立于行業(yè)之本，未來(lái)，我們?nèi)詫∈亍罢\(chéng)信，專(zhuān)業(yè)，務(wù)實(shí)”的服務(wù)理念，不斷完 善創(chuàng)新，努力為客戶(hù)和公司同仁共創(chuàng)雙嬴。

編輯：DD

ASEMI肖特基二極管新品介紹——

SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:

1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低0.2V)。

2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非常快，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。

SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢(shì)壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢(shì)壘高度，這是相矛盾的。因此，對(duì)勢(shì)壘金屬必須折衷考慮，故對(duì)其選擇顯得十分重要。對(duì)N型SiC來(lái)說(shuō)，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢(shì)壘金屬。由于Ni/SiC的勢(shì)壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。

ASEMI肖特基二極管和普通快恢復(fù)二極管的區(qū)別?

肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱(chēng)作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管。 肖特基整流管僅用一種載流子（電子）輸送電荷，在勢(shì)壘外側(cè)無(wú)過(guò)剩少數(shù)載流子的積累，因此，不存在電荷儲(chǔ)存問(wèn)題（Qrr→0），使開(kāi)關(guān)特性獲得時(shí)顯改善。