北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國(guó)Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢(shì)： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來(lái)曝光產(chǎn)量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時(shí)間 3. 根據(jù)曝光能量可以比較容易的調(diào)整側(cè)壁角度 4. 耐溫可以達(dá)到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據(jù)職業(yè)和環(huán)境的安全而設(shè)計(jì)。目前，上游電子化學(xué)品（LCD用光刻膠）幾乎全部依賴進(jìn)口，必須加快面板產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心材料基礎(chǔ)研究與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，才能支撐我國(guó)微電子產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展及國(guó)際“地位”的確立。

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NR77-15000P

9，去膠:濕法去膠，用溶劑、用NONG硫酸。《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出“研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，開(kāi)發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”。負(fù)膠，98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O,正膠：BIN酮,干法去膠（ash）氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O,等離子去膠Oxygenplasma ashing,高頻電場(chǎng)O2---電離O- O ,  O 活性基與膠反應(yīng)CO2，CO， H2O, 光刻檢驗(yàn)

NR9-1000py

問(wèn)題回饋：

1．我們是LED制造商，麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

A 據(jù)我所知，F(xiàn)uturrex

有幾款膠很，NR7-1500P

NR7-3000P是專門為離子蝕刻

設(shè)計(jì)的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。

2．請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有可以替代goodpr1518，Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品？

A 美國(guó)光刻膠，F(xiàn)uturrex

正膠PR1-2000A

, 去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問(wèn)題。

3．你們是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品？

A 我們建議使用Futurrex

PR1-500A , 它有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)：比較好的解析度，比較好的線寬控制，

反射比較少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高溫的光阻是那一種？

A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再經(jīng)過(guò)HMCTS

silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度，PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

5．厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上，用哪一種比較理想？

A Futurrex , NR4-8000P比干膜，和其他市面上的濕膜更加適合，和理想。

6．請(qǐng)教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合？

A 可以考慮使用Futurrex

，正型光阻PR1，負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．請(qǐng)問(wèn)，那位專家知道，RIE

Mask,用什么光阻比較好？

A 正型光阻用PR1系列，負(fù)型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。

8．一般厚膜制程中，哪一種光阻適合？

A NR9-8000P有很高的深寬比（超過(guò)4：1），一般厚膜以及，MEMS產(chǎn)品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎？

A 建議不使用，因?yàn)槭褂肗R5-8000更加理想和適合。

10．我們是OLED，我們有一種制程上需要一層SPACER，那種光阻適合？

A 有一種膠很適合，美國(guó)Futurrex

生產(chǎn)的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers