真空腔體

一般真空腔體內(nèi)部是規(guī)則的長方體,用一面加熱進行熱輻射的方式熱傳導不能合理涵蓋整個腔體的內(nèi)部空間,所以效果不是很理想,.經(jīng)過試驗論證,采取在真空腔體內(nèi)正上方、正下方、左側(cè)面、右側(cè)面各安裝一套加熱板加熱的方法,采用面對面熱輻射方式對腔體內(nèi)部進行加熱.

由于設(shè)備在真空狀態(tài)下采用了上,下,左,右四面四路加熱的方法,比單純一路加熱就要復(fù)雜多了,這也是溫度控制的難點.因此采用PID來進行溫度控制調(diào)節(jié),控溫熱偶設(shè)置在腔體內(nèi)部,這樣可以更好地控制真空腔體內(nèi)的溫度.

真空技術(shù)主要包括真空獲得、真空測量、真空檢漏和真空應(yīng)用四個方面.在真空技術(shù)發(fā)展中,這四個方面的技術(shù)是相互促進的.

隨著真空獲得技術(shù)的發(fā)展,真空應(yīng)用日漸擴大到工業(yè)和科學研究的各個方面.真空應(yīng)用是指利用稀薄氣體的物理環(huán)境完成某些特定任務(wù).有些是利用這種環(huán)境制造產(chǎn)品或設(shè)備,如燈泡、電子管和等. 這些產(chǎn)品在使用期間始終保持真空,而另一些則只是把真空當作生產(chǎn)中的一個步驟,產(chǎn)品在大氣環(huán)境下使用,如真空鍍膜、真空干燥和真空浸漬等.

真空的應(yīng)用范圍極廣,主要分為低真空、中真空、高真空和超高真空應(yīng)用.

影響真空絕緣水平的主要因素

空隙間隔

真空的擊穿電壓與空隙間隔有著比較清晰的關(guān)系。試驗標明，當空隙間隔較小時，擊穿電壓跟著空隙間隔的添加而線性添加，但跟著空隙間隔的進一步添加，擊穿電壓的添加減緩，即真空空隙發(fā)作擊穿的電場強度跟著空隙間隔的添加而減小。為了減小腔體內(nèi)壁的表面積，通常用噴砂或電解拋光的方式來獲得平坦的表面。當空隙到達一定的長度后，單靠添加空隙間隔進步耐壓水平已經(jīng)好不容易，這時選用多斷口反而比單斷口有利。

一般以為短空隙下的穿主要是場致發(fā)射引起的，而長空隙下的的穿則主要是微粒效應(yīng)所致。

真空腔體制造技術(shù)

提供專用設(shè)備腔的定制服務(wù)，腔體的外形和開口可以根據(jù)用戶要求進行設(shè)計。

表面分析腔有通用腔體，用戶也可以在通用腔體的基礎(chǔ)上進行自定義設(shè)計。

手套箱和焊接箱專用于熔煉或焊接鈦、鋅等對易在大氣中氧化的材料。

真空密封頸是基板和鐘形罩之間的過渡組件，它可以提供額外的高度和更多的自由端口。

裝載鎖定室是建在主腔體上的小腔體，可在不破壞主腔體真空度的條件下，將樣本、晶片或其他組件從外部大氣環(huán)境移動到內(nèi)部高真空環(huán)境中。

真空腔體可以按照真空度進行分類，包括粗或低真空度(< 760, > 1 torr)，中真空度(< 1, >10-3 torr)，高真空度(< 10-3, >10-8 torr)，超高真空度(< 10-8 torr)，以及非真空的高壓力 (> 760 torr)。真空腔的寬度和外徑等常規(guī)尺寸是非常重要的參數(shù)。使用真空中氣輝光放電構(gòu)成等離子體，塵土在等離子體中附著電荷，在電場力效果下被驅(qū)向電極外表而集。標準鐘形罩或柱形腔體的可選直徑是12英寸，14英寸，18英寸和24英寸。

真空腔體或者真空組件的可選項包括法蘭、裝配形式、表面拋光或電拋光、開口或傳導口，加熱器和冷卻方式等。

Ferrotec在真空中制造中的解決方案

使用磁流體密封件作為在旋轉(zhuǎn)過程中真空解決方案。磁流體密封件可以隔絕大氣和污染物。

制備的石英用來制造視口及配件等組件，石英在許多其他加工工藝中也有使用。

真空鍍膜可選Ferrotec的PVD電子束蒸發(fā)系統(tǒng)。

如需了解更多真空環(huán)境下的制造信息，請參考真空工業(yè)界的資料。

復(fù)雜的真空腔體通常需要定制，即針對應(yīng)用終端進行專門的設(shè)計和制作。某些常見的真空腔體已經(jīng)過預(yù)先設(shè)計，如手套箱、焊接室、脫氣箱、表面分析真空腔等。標準鐘形罩或柱形腔體的可選直徑是12英寸，14英寸，18英寸和24英寸。例如脫氣箱和手套箱一般采用低真空環(huán)境，可用于焊接，或用于塑料制品、復(fù)合材料層壓板、封裝組件等的脫氣。