離子刻蝕簡(jiǎn)介

離子刻蝕是利用高能量惰性氣體離子轟擊被刻蝕物體的表面，達(dá)到濺射刻蝕的作用。因?yàn)椴捎眠@種方法，所以可以得到非常小的特征尺寸和垂直的側(cè)壁形貌。這是一種“通用”的刻蝕方式，可以在任何材料上形成圖形。它的弱點(diǎn)是刻蝕速度較低，選擇性比較差。傳導(dǎo)耦合性等離子體刻蝕的優(yōu)勢(shì)在于刻蝕速率高、良好的物理形貌和通過(guò)對(duì)反應(yīng)氣體的選擇，達(dá)到針對(duì)光刻膠和襯底的高選擇比。一般用于對(duì)特征形貌沒(méi)有要求的去膠(ashing，灰化)工藝。反應(yīng)離子刻蝕是上述兩種刻蝕方法相結(jié)合的產(chǎn)物，它是利用有化學(xué)反應(yīng)性氣體產(chǎn)生具有化學(xué)活性的基團(tuán)和離子。經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速的高能離子轟擊被刻蝕材料，使表面受損，提高被刻蝕材料表面活性，加速與活性刻蝕反應(yīng)基團(tuán)的反應(yīng)速度，從而獲得較高的刻蝕速度。這種化學(xué)和物理反應(yīng)的相互促進(jìn)，使得反應(yīng)離子刻蝕具有上述兩種干法刻蝕所沒(méi)有的優(yōu)越性：良好的形貌控制能力(各向異性)、較高的選擇比、可以接受的刻蝕速率。因此在于法刻蝕工藝中反應(yīng)性離子刻蝕得到廣泛應(yīng)用。

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離子束刻蝕的入射角

在離子束刻蝕過(guò)程中，選擇合適的入射角可以提高刻蝕效率，這只是一個(gè)方面。另一個(gè)方面是靠合適的入射角度控制刻蝕圖形的輪廓。下圖給出了不同角度的刻蝕結(jié)果。

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離子束刻蝕

利用低能量平行Ar 離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率較高，陡真性較好的方法，它可以對(duì)所有材料進(jìn)行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等。

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