更好的解決溥膜電容頻率高，總線周期特別快的情況，蘇州薄膜電容廠家為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：

減小信號傳輸中的畸變：

微控制器主要采用高速CMOS技術(shù)制造。信號輸入端靜態(tài)輸入電流在1mA左右，輸入電容10PF左右，輸入阻抗相當(dāng)高，高速CMOS電路的輸出端都有相當(dāng)?shù)膸лd能力，即相當(dāng)大的輸出值，將一個門的輸出端通過一段很長線引到輸入阻抗相當(dāng)高的輸入端，反射問題就很嚴(yán)重，它會引起信號畸變，增加系統(tǒng)噪聲。當(dāng)Tpd＞Tr時，就成了一個傳輸線問題，必須考慮信號反射，阻抗匹配等問題。

溥膜電容廠家認(rèn)為，信號在印制板上的延遲時間與引線的特性阻抗有關(guān)，即與印制線路板材料的介電常數(shù)有關(guān)?？梢源致缘卣J(rèn)為，信號在印制板引線的傳輸速度，約為光速的1/3到1/2之間。微控制器構(gòu)成的系統(tǒng)中常用邏輯電話元件的Tr（標(biāo)準(zhǔn)延遲時間）為3到18ns之間。

在印制線路板上，信號通過一個7W的電阻和一段25cm長的引線，線上延遲時間大致在4~20ns之間。也就是說，信號在印刷線路上的引線越短越好，長不宜超過25cm。而且過孔數(shù)目也應(yīng)盡量少，z好不多于2個。

溥膜電容廠家講述電容為什么會出現(xiàn)扭曲失效？

對于電容為什么會出現(xiàn)扭曲失效情況？溥膜電容廠家經(jīng)過實驗得出的結(jié)論是：此種不良的可能性很多，按大類及表現(xiàn)可以分為兩種：

SMT階段導(dǎo)致的失效

當(dāng)進(jìn)行零件的取放尤其是SMT階段零件取放時，取放的定中爪因為磨損、對位不準(zhǔn)確，傾斜等造成的。由定中爪集中起來的壓力，會造成很大的壓力或切斷率，繼而形成點。

這些現(xiàn)象一般為可見的表面裂縫，或2至3個電極間的內(nèi)部；表面一般會沿著強(qiáng)的壓力線及陶瓷位移的方向。

真空檢拾頭導(dǎo)致的損壞或﹐一般會在芯片的表面形成一個圓形或半月形的壓痕面積﹐并帶有不圓滑的邊緣。此外﹐這個半月形或圓形的裂縫直經(jīng)也和吸頭相吻合。

另一個由吸頭所造成的損環(huán)﹐因拉力而造成的﹐裂縫會由組件中央的一邊伸展到另一邊﹐這些裂縫可能會蔓延至組件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能會令電容器的底部破損。

介質(zhì)是什么東西？說穿了就是電容器兩極板之間的物質(zhì)。有極性電容大多采用電解質(zhì)做介質(zhì)材料，通常同體積的電容有極性電容容量大。另外，不同的電解質(zhì)材料和工藝制造出的有極性電容同體積的容量也會不同。再有就是耐壓和使用介質(zhì)材料也有密切關(guān)系。無極性電容介質(zhì)材料也很多，大多采用金屬氧化膜、滌綸等。由于介質(zhì)的可逆或不可逆性能決定了有極、無極性電容的使用環(huán)境。其他的區(qū)別還有如下：

1、結(jié)構(gòu)不同：原則上講不考慮放電的情況下，使用環(huán)境需要什么形狀的電容都可以。通常用的電解電容是圓形，方型用的很少。無極性電容形狀千奇百變；

2、容量不同：同體積的電容器介質(zhì)不同容量不等；

3、一般而言，電容兩極間的絕緣材料，介電常數(shù)大的適合于制作大容量小體積的電容，但損耗也大。介電常數(shù)小的損耗小，適合于高頻應(yīng)用使用環(huán)境和用途。