晶振

參數(shù)a. 標(biāo)稱頻率：在規(guī)定條件下，晶振的諧振中心頻率.

b. 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度時(shí)的工作頻率相對(duì)標(biāo)稱頻率的偏離值.(ppm)

c. 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)，相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離值.

d. 負(fù)載諧振電阻：晶振與外部電容相串聯(lián)，在負(fù)載諧振頻率時(shí)的電阻值.

e.負(fù)載電容： 是指與晶振一起決定負(fù)載諧振頻率的有效外界電容.常用標(biāo)準(zhǔn)值有：12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.

晶體電阻：對(duì)于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動(dòng)時(shí)其電阻值將比工作在低次振動(dòng)時(shí)大。

工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時(shí)，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對(duì)溫度頻差要求很高，同時(shí)空間和功率都允許的情況下，應(yīng)考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計(jì)的。

負(fù)載電容與頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來(lái)牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個(gè)負(fù)載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時(shí)，則相對(duì)負(fù)載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0 CL）]。

石英晶體振蕩器的基本原理

壓電效應(yīng)

若在石英晶體的兩個(gè)電極上加一電場(chǎng)，晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械變形。反之，若在晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場(chǎng)，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)晶片的機(jī)械振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)。在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。