正壓法氦質(zhì)譜檢漏

采用正壓法檢漏時(shí)，需對(duì)被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封室充入高于一個(gè)大氣壓力的氦氣，當(dāng)被檢產(chǎn)品表面有漏孔時(shí)，氦氣就會(huì)通孔漏孔進(jìn)入被檢外表面的周?chē)髿猸h(huán)境中，再采用吸槍的方式檢測(cè)被檢產(chǎn)品周?chē)髿猸h(huán)境中的氦氣濃度增量，從而實(shí)現(xiàn)被檢產(chǎn)品泄漏測(cè)量。79J/(m·h·K)，在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的定壓比熱為5233J/(kg·K)，在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的動(dòng)力粘度系數(shù)為1。按照收集氦氣方式的不同，又可以將正壓法分為正壓吸槍法和正壓累積法。其中正壓吸槍法采用檢漏儀吸槍對(duì)被檢產(chǎn)品外表面進(jìn)行掃描探查，可以實(shí)現(xiàn)漏孔的; 正壓累積法采用有一定密閉功能的氦罩將被檢產(chǎn)品全部罩起來(lái)，采用檢漏儀吸槍測(cè)量一定時(shí)間段前后的氦罩內(nèi)氦氣濃度變化量，實(shí)現(xiàn)被檢產(chǎn)品總漏率的測(cè)量。

正壓法的優(yōu)點(diǎn)是不需要輔助的真空系統(tǒng)，可以，實(shí)現(xiàn)任何工作壓力下的檢測(cè)。

正壓法的缺點(diǎn)是檢測(cè)靈敏度較低，檢測(cè)結(jié)果不確定度大，受測(cè)量環(huán)境條件影響大。

正壓法的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)主要有QJ3089-1999《氦質(zhì)譜正壓檢漏方法》、QJ2862-1996《壓力容器焊縫氦質(zhì)譜吸槍罩盒檢漏試驗(yàn)方法》，主要應(yīng)用于大容積高壓密閉容器產(chǎn)品的檢漏，如高壓氦氣瓶、艙門(mén)檢漏儀等。

背壓法氦質(zhì)譜檢漏

采用背壓法檢漏時(shí)，首先將被檢產(chǎn)品置于高壓的氦氣室中，浸泡數(shù)小時(shí)或數(shù)天，如果被檢產(chǎn)品表面有漏孔，氦氣便通過(guò)漏孔壓入被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封腔中，使內(nèi)部密封腔中氦分壓力上升。然后取出被檢產(chǎn)品，將表面的殘余氦氣吹除后再將被檢產(chǎn)品放入與檢漏儀相連的真空容器內(nèi)，被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封腔內(nèi)的氦氣會(huì)通過(guò)漏孔泄漏到真空容器，再進(jìn)入氦質(zhì)譜檢漏儀，從而實(shí)現(xiàn)被檢產(chǎn)品總漏率測(cè)量。因此，在測(cè)漏過(guò)程中采用較高的測(cè)試壓力，可有效檢測(cè)出在實(shí)際運(yùn)行中未出現(xiàn)的漏孔。檢漏儀給出的漏率值為測(cè)量漏率，需要通過(guò)換算公式計(jì)算出被檢產(chǎn)品的等效標(biāo)準(zhǔn)漏率。

背壓法的優(yōu)點(diǎn)是檢測(cè)靈敏度高，能實(shí)現(xiàn)小型密封容器產(chǎn)品的泄漏檢測(cè)，可以進(jìn)行批量化檢測(cè)。

背壓法的缺點(diǎn)是不能進(jìn)行大型密封容器的漏，否則由于密封腔體容積太大，導(dǎo)致加壓時(shí)間太長(zhǎng)。此外，每個(gè)測(cè)量漏率都對(duì)應(yīng)兩個(gè)等效標(biāo)準(zhǔn)漏率，在細(xì)檢完成后還需要采用其它方法進(jìn)行粗檢，排除大漏的可能。

背壓法的檢漏標(biāo)準(zhǔn)主要有QJ3212-2005《氦質(zhì)譜背壓檢漏方法》、GJB360A-1996《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法112 密封試驗(yàn)》，主要應(yīng)用于各種電子元器件產(chǎn)品檢漏。

噴氦法氦質(zhì)譜檢漏方法

這是常用的一種方法,一般用于檢測(cè)體積相對(duì)較小的部件,將被檢器件和儀器連通,在抽好真空后,在被檢器件可能存在漏孔的地方(如密封接頭,焊縫等) 用噴槍噴氦,如圖4 所示,如果被檢器件某處有漏孔,當(dāng)氦噴到漏孔上時(shí),氦氣立即會(huì)被吸入到真空系統(tǒng),從而擴(kuò)散到質(zhì)譜室中,氦質(zhì)譜檢漏儀的輸出就會(huì)立即有響應(yīng),使用這種方法應(yīng)注意:氦氣是較輕的惰性氣體,在噴出后會(huì)自動(dòng)上升,為了準(zhǔn)確的在漏孔位置噴氦,噴氦時(shí)應(yīng)自上而下,由近至遠(yuǎn)(相對(duì)檢漏儀位置) ,這是因?yàn)樵趪娤路綍r(shí)氦氣有可能被上方漏孔吸入,就很難確定漏孔的位置;再者漏孔離質(zhì)譜室的距離檢漏儀反應(yīng)時(shí)間也不同,所以噴氦應(yīng)先從靠近檢漏儀的一側(cè)開(kāi)始由近至遠(yuǎn)來(lái)進(jìn)行。真空法的優(yōu)點(diǎn)是檢測(cè)靈敏度高，可以，能實(shí)現(xiàn)大容器或復(fù)雜結(jié)構(gòu)產(chǎn)品的檢漏。

氦氣在在半導(dǎo)體中的檢漏作用

為了防止半導(dǎo)體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質(zhì)而導(dǎo)致性能退化，就必須采用管殼來(lái)密封。但是在管殼的封接處或者引線接頭處往往會(huì)因?yàn)楦鞣N原因而產(chǎn)生一些肉眼難以發(fā)現(xiàn)的小洞，所以在元器件封裝之后，就需要采取某些方法來(lái)檢測(cè)這些小洞的存在與否。 氦氣檢漏就是采用氦氣來(lái)檢查電子元器件封裝管殼上的小漏洞。使用壓縮空氣將元件表面的少量殘留氦氣吹掃干凈之后，再利用質(zhì)譜儀檢測(cè)元件表面泄露的氦氣。因?yàn)楹ぴ拥某叽绾苄?，容易穿過(guò)小洞而進(jìn)入到管殼內(nèi)部，所以這種檢測(cè)方法能夠檢測(cè)出尺寸很小的小洞（即能夠檢測(cè)出漏氣速率約為10?11～10?12cm3/sec的小洞），靈敏度可與性檢漏方法匹敵，但要比性檢漏方法簡(jiǎn)便。

氦氣檢漏試驗(yàn)的方法：首先把封裝好的元器件放入充滿(mǎn)氦氣的容器中，并加壓，讓氦氣通過(guò)小洞而進(jìn)入管殼中；然后取出，并用壓縮空氣吹去管殼表面的殘留氦氣；接著采用質(zhì)譜儀來(lái)檢測(cè)管殼外表所漏出的氦氣。