PVD是物理氣相沉積技術(shù)的簡稱，是指在真空條件下，采用物理的方法將材料（俗稱靶材或膜料）氣化成氣態(tài)分子、原子或離子，并將其沉積在工件形成具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，常見的PVD沉積技術(shù)有：蒸發(fā)技術(shù)、濺射技術(shù)、電弧技術(shù)。

目前,提高NbFeB永磁材料耐腐蝕性能的方法有添加合金元素和外加防護(hù)性鍍層,但主要以添加防護(hù)性鍍層(金屬鍍層、有機(jī)物鍍層和復(fù)合鍍層)為主。蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。防護(hù)性鍍層可以阻礙腐蝕相與基體之間的相互接觸從而減緩磁體的腐蝕。添加鍍層的方法有電鍍、化學(xué)鍍、物理氣相沉積等。

國內(nèi)外研究人員一直致力于開發(fā)取代電鍍的表面防護(hù)技術(shù)的研究,物理氣相沉積(PVD)技術(shù)作為一種環(huán)境友好技術(shù),具有很多其他技術(shù)所不具備的特點(diǎn),通過控制其工藝參數(shù)可以得到晶粒細(xì)小、厚度均勻、膜基結(jié)合力優(yōu)異的鍍層;同時(shí)由于PVD是一種干法鍍技術(shù),可以避免濕法鍍時(shí)酸性或堿性電解質(zhì)溶液殘留在磁體孔隙內(nèi)和電鍍過程中磁體吸氫而導(dǎo)致鍍層脆裂的缺點(diǎn)。首先，被鍍膜材料表面肯定是有灰塵的，在盡量減小材料表面灰塵的前提下，我們還應(yīng)當(dāng)注意以下幾點(diǎn)：1、真空鍍膜設(shè)備使用一段時(shí)間后，必須要對設(shè)備進(jìn)行清潔維護(hù)。然而，PVD表面處理受批量生產(chǎn)成本和某些因素的限制,現(xiàn)在并沒有大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。

鍍膜技術(shù)在集成電路制造中的應(yīng)用 晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。可見氣相沉積術(shù)制備集成電路的核心技術(shù)之一。

真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。