MBR1045CT廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、LED電源和逆變器等電路使用。強(qiáng)元芯電子作為MHCHXM公司大陸總代理.公司擁有一支高素質(zhì)、高學(xué)歷的專業(yè)人才團(tuán)隊(duì)，其中電子、機(jī)械、工程管理各類專業(yè)工程師及專業(yè)管理人才27人

采用優(yōu)質(zhì)銅基材鍍錫引腳，導(dǎo)電性能更佳。

引腳寬0.65MM，厚0.6MM，持續(xù)工作，不會(huì)發(fā)熱

高強(qiáng)度、可耐數(shù)次彎折，不影響正常使用

定位孔：安裝定位孔設(shè)計(jì)，對(duì)于散熱性要求更高的電路，方便安裝外置散熱裝置。

產(chǎn)品原廠新年份的貨源，經(jīng)過嚴(yán)格的電性測(cè)試與出廠檢驗(yàn)。所用的框架、環(huán)氧塑封膠以及無鉛焊片、后端引線電鍍都是采用環(huán)保進(jìn)口材料，保證出廠合格率

編輯：DD

ASEMI工程師講解雪崩問題解決方案

在IAS下不會(huì)燒毀的維持時(shí)間:td=EAS/(VRRM×IAS)=1000mJ/(200V×100A)=5μs。也就是說，SBD在出現(xiàn)雪崩之后IAS=100A時(shí)，可保證在5μs之內(nèi)不會(huì)損壞器件。EAS是檢驗(yàn)肖特基勢(shì)壘可靠性的重要參量200V/100A的SBD在48V輸出的通信SMPS中可替代等額定值的FRED，使整流部分的損耗降低10%~15%。由于SBD的超快軟恢復(fù)特性及其雪崩能量，提高了系統(tǒng)工作頻率和可靠性，EMI也得到顯著的改善。

MURF1060CT 強(qiáng)元芯ASEMI核芯動(dòng)力 快恢復(fù)實(shí)力彰顯！

采用了臺(tái)灣健鼎的一體化測(cè)試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時(shí)檢測(cè)Vb、Io、If、Vf、Ir等12個(gè)參數(shù)經(jīng)過6道檢測(cè)。更是打破業(yè)界測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，將漏電流有5uA加嚴(yán)到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴(yán)到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進(jìn)口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。