編輯：DD

采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴(kuò)散深度，使反偏時(shí)的擊穿電壓突破了100V這個(gè)長(zhǎng)期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時(shí)，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為0.6V，而肖特基勢(shì)壘的結(jié)電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢(shì)壘供給。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

　　元件的封裝形式也在型號(hào)的前綴第四位字母中體現(xiàn)，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是貼片DPAK封裝；TO-263,也就是貼片D2PAK封裝；任何型號(hào)的命名都有它的規(guī)律性可循。例如：MBR20100CT,型號(hào)中就20100是阿拉伯?dāng)?shù)字，20100中，20是電流，100是電壓。以此類推。

　常見ASEMI貼片封裝的肖特基型號(hào)：

　　BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23,0.3A

　　MBR0520L、MBR0540:SOD-123,0.5A

　　SS12、SS14:DO-214AC（SMA），1A

　　SL12、SL14:DO-214AC（SMA），1A

　　SK22:SK24:DO-214AA（SMB），2A

　　SK32:SK34:DO-214AB（SMC），3A

　　MBRD320、MBRD360:TO-252,3A

　　MBRD620CT、MBRD660CT:TO-252,6A

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK），10A

　　MBRB4045CT:TO-263（D2PAK），40A