光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。江蘇博硯電子科技有限公司董事長宗健表示，光刻膠要真正實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，難度很大。為了滿足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場(chǎng)上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場(chǎng)上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

光刻膠國內(nèi)研發(fā)現(xiàn)狀

“造成與國際水平差距的原因很多。呼吸器：無論何時(shí)在工作環(huán)境下呼吸保護(hù)必須遵循中國職業(yè)安全健康管理局標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定和ANSI美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)Z88。過去由于我國在開始規(guī)劃發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)上，布局不合理、不完整，特別是生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的投資，而忽視了重要的基礎(chǔ)材料、裝備與應(yīng)用研究。目前，整個(gè)產(chǎn)業(yè)是中間加工環(huán)節(jié)強(qiáng)，前后兩端弱，核心技術(shù)至今被TOK、JSR、住友化學(xué)、信越化學(xué)等日本企業(yè)所壟斷。

光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)有解析度、顯影時(shí)間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等。每一項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都很重要，必須全部指標(biāo)達(dá)到才能使用。因此，國外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面，對(duì)中國長期保密。中國的研發(fā)技術(shù)有待進(jìn)一步發(fā)展

NR77-5000PY

PR1-2000A1 試驗(yàn)操作流程

PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm為列；

1,靜態(tài)滴膠后以1300轉(zhuǎn)/分速度持續(xù)40秒。同時(shí)必須需要在1秒內(nèi)達(dá)到從0轉(zhuǎn)/分到1300轉(zhuǎn)/分的升速度；

2，前烘：熱板120度120秒；

3，冷卻至室溫；

4，用波長為365,406,436的波長曝光，

5，在溫度為20-25度，使用RD6浸泡式、噴霧、顯影 ；

6，去除光刻膠，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。

光刻膠

光增感劑

是引發(fā)助劑，能吸收光能并轉(zhuǎn)移給光引發(fā)劑，或本身不吸收光能但協(xié)同參與光化學(xué)反應(yīng)，起到提高引發(fā)效率的作用。

光致產(chǎn)酸劑

吸收光能生成酸性物質(zhì)并使曝光區(qū)域發(fā)生酸解反應(yīng)，用于化學(xué)增幅型光刻膠。

助劑

根據(jù)不同的用途添加的顏料、固化劑、分散劑等調(diào)節(jié)性能的添加劑。

主要技術(shù)參數(shù)

分辨率（resolution）

是指光刻膠可再現(xiàn)圖形的小尺寸。一般用關(guān)鍵尺寸來（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。