MHCHXM所生產(chǎn)的肖特基，之所以受到全國各地電源電器廠商的歡迎，是因為MHCHXM人18年如一日對品質(zhì)的要求，不論您需求什么樣的肖特基二極管，數(shù)量或多或少，我們都抱著精益求精的努力，嚴(yán)格監(jiān)督且注重每一道生產(chǎn)工序，以保證每一個肖特基都是精品，都能讓所有客戶購買到稱心如意的整流橋 來自我們的寶島臺灣，采用優(yōu)質(zhì)塑料外殼封裝進(jìn)口優(yōu)質(zhì)PC材料一次性燒注成型，硅片上的電路管腳用導(dǎo)線接引到外部接頭處，更加有效保護芯片，增強電熱性能，便于安裝和運輸，隔熱阻燃性能好，強度硬度高，耐高溫

用油墨絲印，容易掉字污染線路板，也存在惡意翻新的問題。

超高的穩(wěn)定品質(zhì)性能得益于芯片的尖端性能，芯片需經(jīng)過36道工序78道工藝，歷時108小時的老化試

驗后挑選出一致性誤差0.05% 范圍內(nèi)的芯片。

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快恢復(fù)二極管與肖特基二極管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二極管又會有什么樣的優(yōu)勢呢？

首先，我們來看一下一般的快恢復(fù)二極管。UFRD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。

采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為0.6V，而肖特基勢壘的結(jié)電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。

ASEMI肖特基二極管參數(shù)的研發(fā)拓展：

ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT，是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設(shè)計的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD，起始電壓比業(yè)界居先進(jìn)水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V)，導(dǎo)通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ)，導(dǎo)通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。