化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學(xué)氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體?；瘜W(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢，所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會采用這種方式。

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化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復(fù)合噴管，并獲得了成功，這時化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領(lǐng)域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應(yīng)進行沉積。銥的沉積速度很快，可以達到3~20μm/h。 沉積厚度也達到了50μm，C15H21IrO6的制取效率達 70%以上。

PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別

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PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團，同時整個反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。公司生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積,公司擁有強大的銷售團隊和經(jīng)營理念。

ICP刻蝕機的測量與控制

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機，以下信息由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供。

由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業(yè)界常用的測量方法有：

虛擬測量（Virtual Metrology） 

等離子刻蝕過程控制示意圖

光譜測量

等離子阻抗監(jiān)控

終端探測

遠程耦合傳感

控制方法

run-to-run 控制（R2R） 

模型預(yù)測控制（MPC）

人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制