什么是外延和外延片？

1、什么是外延和外延片？

外延也稱(chēng)為外延生長(zhǎng)，是制備高純微電子復(fù)合材料的一工藝過(guò)程，就是在單晶（或化合物）襯底材料上淀積一層薄的單晶（或化合物）層。新淀積的這層稱(chēng)為外延層。淀積有外延層的襯底材料叫外延片。

2、哪些材料可以用作生長(zhǎng)外延層的襯底材料，它們各自有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？

用得蕞廣泛的襯底材料是申化家，可用于生長(zhǎng)外延層GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其優(yōu)點(diǎn)是由于GaAs的晶格常數(shù)比較匹配可制成無(wú)位錯(cuò)單晶，加工方便，價(jià)格較便宜。缺點(diǎn)是它是一種吸光材料，對(duì)PN結(jié)發(fā)的光吸收比較多，影響發(fā)光效率。

磷化家可生長(zhǎng)GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的頂層，其優(yōu)點(diǎn)是它是透明材料，可制成透明襯底提高出光效率。

生長(zhǎng)InGaN和InGaAlN的襯底主要有藍(lán)寶石（Al2O3）、碳化硅和硅。藍(lán)寶石襯底的優(yōu)點(diǎn)是透明，有利于提高發(fā)光效率，目前仍是InGaN外延生長(zhǎng)的主要襯底。缺點(diǎn)是有較大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；熱導(dǎo)率較低，不利于器件的熱耗散，對(duì)制造功率led不利。碳化硅襯底有較小的晶格失配，硬度低，易于加工，導(dǎo)熱率較高，利于制作功率器件。

用于半導(dǎo)體照明的芯片技術(shù)的發(fā)展主流是什么?

隨著半導(dǎo)體LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越多，特別是白光LED的出現(xiàn)，更是成為半導(dǎo)體照明的熱點(diǎn)。

但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。

提高功率意味著芯片的使用電流加大，較為直接的辦法是加大芯片尺寸，現(xiàn)在普遍出現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問(wèn)題成為突出問(wèn)題，現(xiàn)在通過(guò)芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。

隨著LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用會(huì)面臨一個(gè)從未有的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

LED芯片材料磊晶種類(lèi)

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機(jī)金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAlAs

LED模組安裝注意事項(xiàng)：

1.沒(méi)有經(jīng)過(guò)防水處理的LED模組，安裝在吸塑字或者箱體時(shí)，應(yīng)預(yù)防雨水進(jìn)入。

2.LED模組的間距可根據(jù)亮度和模組大小等實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整，每平方的數(shù)量一般在50-100組之間。在排布LED模組的時(shí)候，應(yīng)注意發(fā)光的均勻和亮度需求;模組與字體邊的距離一般為2-5公分，模組與模組間的垂直和水平距離建議為2-6CM。LED模組安裝時(shí)不可推，擠壓模組上的器件，以免造成器件的破壞，里面的連接線應(yīng)該玻璃膠固定在地板上，以免遮光。

3.LED模組與發(fā)光體表面的距離要控制好，這樣才能保證光的均勻性和亮度，所以燈箱的厚度也很重要。