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肖特基二極管的弱點(diǎn)和避免事項(xiàng)

肖特基二極體的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實(shí)際使用時(shí)的反向偏壓都會(huì)比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術(shù)也已有了進(jìn)步，其反向偏壓的額定值可以到200V。

肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要多做考慮。

另外，除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω~600Ω之間)、電壓駐波比(一般≤2)和噪聲系數(shù)等。

SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關(guān)系到系統(tǒng)效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢(shì)壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢(shì)壘高度，這是相矛盾的。因此，對(duì)勢(shì)壘金屬必須折衷考慮，故對(duì)其選擇顯得十分重要。對(duì)N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢(shì)壘金屬。由于Ni/SiC的勢(shì)壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。