雖然金屬表面處理設(shè)計(jì)師銅類似的方法可以被采用以解決這個(gè)問題，但銅和鋁的芯片，所述襯底的嚴(yán)重的熱失配，所述封裝的熱設(shè)計(jì)了很大的困難影響它們的廣泛使用。此外，為解決封裝的散熱問題，各類封裝也大多使用金屬作為熱沉和散熱片。 1.2鎢，鉬（Mo）具有5.35×10-6K-1的CTE，和鐵鎳鈷合金和Al2O3匹配時(shí)，它的熱導(dǎo)率非常高，為138 W（MK-1），正如經(jīng)常氣密封裝基座和側(cè)壁焊接在一起可伐，在許多包所使用的金屬，所述高功率密度 的Cu / W和Cu /沫以減少銅CTE可以更小和銅的材料例如Mo，W等的CTE值的復(fù)合物，以得到銅/ W和Cu /鉬金屬 - 金屬?gòu)?fù)合材料。這些材料具有高的導(dǎo)電性，導(dǎo)熱性，同時(shí)整合鎢，鉬的低CTE，高硬度特性。的Cu / W和Cu /沫CTE可以根據(jù)組分的相對(duì)含量的變化進(jìn)行調(diào)整，可以用作封裝基座，散熱器也可以用作散熱片。 形式的金屬包裝，加工柔性的，和特定組件（例如，混合集成A / d或d / A轉(zhuǎn)換器）為一體的，對(duì)于低I / O芯片和多用途單芯片的數(shù)量，但也它適用于RF，微波，光，聲表面波器件和高功率，小批量滿足高可靠性要求。

金屬表面處理但密度大也使Cu／W具有對(duì)空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因?yàn)橐@得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。冷作硬化的全銅盡管有較高的抗拉強(qiáng)度，但在外殼生產(chǎn)制造或密封性時(shí)不高的溫度便會(huì)使它淬火變軟，在開展機(jī)械設(shè)備沖擊性或穩(wěn)定瞬時(shí)速度實(shí)驗(yàn)時(shí)導(dǎo)致外殼底端形變。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對(duì)現(xiàn)代封裝的發(fā)展。金屬表面處理CNC與壓鑄結(jié)合就是先壓鑄再利用CNC精加工。工藝優(yōu)缺點(diǎn)：CNC工藝的成本比較高，材料浪費(fèi)也比較多，當(dāng)然這種工藝下的中框或外殼質(zhì)量也好一些。金屬封裝外殼CNC加工開始前，首先需要建模與編程。3D建模的難度由產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定，結(jié)構(gòu)復(fù)雜的產(chǎn)品建模較難，需要編程的工序也更多、更復(fù)雜。

金屬表面處理原材料工作人員在這種原材料基本上科學(xué)研究和開發(fā)設(shè)計(jì)了很多種多樣金屬基復(fù)合材料(MMC)，他們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化學(xué)物質(zhì)(如TiAl、NiAl)為常規(guī)，以顆粒物、晶須、滌綸短纖維或持續(xù)化學(xué)纖維為提高體的一種復(fù)合材料。盡管設(shè)計(jì)師能夠選用相近銅的方法處理這個(gè)問題，但銅、鋁與集成ic、基鋼板比較嚴(yán)重的熱失配，給封裝的熱設(shè)計(jì)產(chǎn)生挺大艱難，危害了他們的普遍應(yīng)用。可伐可伐鋁合金(Fe-29Ni-17Co，我國(guó)型號(hào)4J29)的CTE與Si、GaAs及其Al2O3、BeO、AIN的CTE比較貼近，具備優(yōu)良的電焊焊接性、工藝性能，能與硼硅硬夾層玻璃配對(duì)封接，在低功率的金屬封裝中獲得普遍的應(yīng)用。但因?yàn)槠鋵?dǎo)熱系數(shù)低，電阻高，相對(duì)密度也很大，使其廣泛運(yùn)用遭受了挺大限定。以便降低瓷器基板上的地應(yīng)力，設(shè)計(jì)師可以用好多個(gè)較小的基板來替代單一的大基板，分離走線。退火的純銅因?yàn)槲锢硇阅懿睿浅Ｉ賾?yīng)用。冷作硬化的純銅盡管有較高的抗拉強(qiáng)度，但在機(jī)殼生產(chǎn)制造或密封性時(shí)不高的溫度便會(huì)使它退火變軟，在開展機(jī)械設(shè)備沖擊性或穩(wěn)定瞬時(shí)速度實(shí)驗(yàn)時(shí)導(dǎo)致機(jī)殼底端形變。