氣相沉積主要分為兩大類(lèi)：

化學(xué)氣相沉積(，簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)；

物理氣相沉積(，簡(jiǎn)稱(chēng)PVD)。

，人們利用易揮發(fā)的液體TiCI稍加熱獲得TiCI氣體和NH氣體一起導(dǎo)入高溫反應(yīng)室，讓這些反應(yīng)氣體分解，再在高溫固體表面上進(jìn)行遵循熱力學(xué)原理的化學(xué)反應(yīng)，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉積在固體表面上成硬質(zhì)固相薄膜。人們把這種通過(guò)含有構(gòu)成薄膜元素的揮發(fā)性化合物與氣態(tài)物質(zhì)，在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，且生成非揮發(fā)性固態(tài)沉積物的過(guò)程，稱(chēng)為化學(xué)氣相沉積(，CVD)。

磁控濺射：在真空環(huán)境下，通過(guò)電壓和磁場(chǎng)的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據(jù)使用的電離電源的不同，導(dǎo)體和非導(dǎo)體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳?xì)錃怏w在離子源中被離化成等離子體，在電磁場(chǎng)的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過(guò)調(diào)整加在等離子體上的電壓來(lái)控制。碳?xì)潆x子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結(jié)合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)在于可沉積超薄及多層結(jié)構(gòu)，工藝控制精度可達(dá)幾個(gè)埃，并可將工藝過(guò)程中的顆料污染所帶來(lái)的缺陷降至。

由于粒子間的碰撞，產(chǎn)生劇烈的氣體電離，使反應(yīng)氣體受到活化。同時(shí)發(fā)生陰極濺射效應(yīng)，為沉積薄膜提供了清潔的活性高的表面。因而整個(gè)沉積過(guò)程與僅有熱的過(guò)程有明顯不同。這兩方面的作用，在進(jìn)步涂層結(jié)協(xié)力，降低沉積溫度，加快反應(yīng)速度諸方面都創(chuàng)造了有利條件。

等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)按等離子體能量源方式劃分，有直流輝光放電、射頻放電和微波等離子體放電等。隨著頻率的增加，等離子體強(qiáng)化CVD過(guò)程的作用越明顯，形成化合物的溫度越低。

隨著市場(chǎng)和研究人員的要求，隨著基于傳統(tǒng)工藝的新系統(tǒng)的出現(xiàn)，新的涂料性能得到了發(fā)展。即使通過(guò)蒸發(fā)工藝獲得的沉積速率是理想的，但事實(shí)是，濺射沉積技術(shù)在質(zhì)量和沉積速率方面取得了無(wú)疑的進(jìn)步，響應(yīng)了對(duì)此領(lǐng)域感興趣的行業(yè)和研究人員的需求，甚至用作中間層，用于通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）獲得的其他涂層。

CVD是另一種在真空下沉積的方法，并且是使待沉積材料中的揮發(fā)性化合物與其他氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，以產(chǎn)生沉積在基材上的非揮發(fā)性固體。