真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。Parylene HT（SCS）該材料具有更低的介電常數(shù)(即透波性能好)、好的穩(wěn)固性和防水、防霉、防鹽霧性能.短期耐溫可達450攝氏度,長期耐溫可達350攝氏度,并具有強的抗紫外線能力.更適合作為高頻微波器件的防護材料。

       Parylene真空鍍膜以其良好的耐腐蝕、耐，、 低阻滯性、低摩擦系數(shù)及生物相容性，在國際臨床運用的生物的表面涂層上，將逐步取代TiNi（鎳鈦）合金涂層而被列為*材料。如骨釘、探針、針頭、臨時手術(shù)器械、導尿管、制動器及耳蝸植入器，心臟起搏器、腦電極、植入式傳感器、射頻、血液分析傳感器和高頻手術(shù)刀等微型電子。

       真空涂層技術(shù)發(fā)展到了今天還出現(xiàn)了PCVD(物理化學氣相沉積)、MI-CVD(中溫化學氣相沉積)等新技術(shù)，各種涂層設備、各種涂層工藝層出不窮。目前較為成熟的PVD方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設備結(jié)構(gòu)簡單，容易操作。多弧鍍的不足之處是，在用傳統(tǒng)的DC電源做低溫涂層條件下，當涂層厚度達到0.3μm時，沉積率與反射率接近，成膜變得非常困難。而且，薄膜表面開始變朦。多弧鍍另一個不足之處是，由于金屬是熔后蒸發(fā)，因此沉積顆粒較大，致密度低，耐磨性比磁控濺射法成膜差?？梢姡嗷″兡づc磁控濺射法鍍膜各有優(yōu)劣，為了盡可能地發(fā)揮它們各自的優(yōu)越性，實現(xiàn)互補，將多弧技術(shù)與磁控技術(shù)合而為一的涂層機應運而生。在工藝上出現(xiàn)了多弧鍍打底，然后利用磁控濺射法増厚涂層，后再利用多弧鍍達到終穩(wěn)定的表面涂層顏色的新方法。

原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法（技術(shù)）。當前驅(qū)體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發(fā)生表面反應。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。由此可知沉積反應前驅(qū)體物質(zhì)能否在被沉積材料表面化學吸附是實現(xiàn)原子層沉積的關鍵。氣相物質(zhì)在基體材料的表面吸附特征可以看出，任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進行物理吸附，但是要實現(xiàn)在材料表面的化學吸附必須具有一定的活化能，因此能否實現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。