晶體振蕩器的特性

溫度特性:指在其他條件不變的情況下，溫度對(duì)其頻率穩(wěn)定度的影響

電壓特性:指在其他條件不變的情況下，電壓的變化(小幅度紋波)對(duì)其頻率穩(wěn)定度的影響

壓控電壓:有些晶振會(huì)有一個(gè)VC腳位，通過(guò)外加電壓調(diào)節(jié)輸出頻率，一般牽引范圍在PPM級(jí)別

雜散:指相噪曲線上的一些毛刺，源于放大器或者混頻器的噪音

短期穩(wěn)定性:理想的振蕩器的輸出電壓為正弦曲線。實(shí)際的振蕩器輸出電壓由于噪聲的影響是偏移的正弦曲線的

選擇振蕩器時(shí)需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時(shí)需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

石英晶體振蕩器的發(fā)展趨勢(shì)

1、小型化、薄片化和片式化：為滿足移動(dòng)電話為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30～100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。

2、高精度與高穩(wěn)定度，目前無(wú)補(bǔ)償式晶體振蕩器總精度也能達(dá)到±25ppm，VCXO的頻率穩(wěn)定度在10～7℃范圍內(nèi)一般可達(dá)±20～100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。

晶體振蕩器在當(dāng)今社會(huì)的應(yīng)用

（1）以滿足當(dāng)今電子電路溫度都要在125℃以上的所有工業(yè)的要求；（2）石油服務(wù)行業(yè)；（3）燃?xì)鉁u輪機(jī)的控制；（4）測(cè)井，隨鉆測(cè)井；（5）工業(yè)控制；（6）航空航天應(yīng)用。我公司提供解決方案，助力油田工程師將產(chǎn)品更快的推向市場(chǎng)，生產(chǎn)各類晶振產(chǎn)品，歡迎來(lái)電咨詢！