而它的電子的來源有二：高溫金屬產(chǎn)生的熱電子，另一種電子的來源為中空陰極放電。(4)雷射加熱：激光束可經(jīng)由光學(xué)聚焦在蒸鍍源上，產(chǎn)生局部瞬間高溫使其逃離。zui早使用的是脈沖紅寶雷射，而后發(fā)展出紫外線準(zhǔn)分子雷射。紫外線的優(yōu)點(diǎn)是每一光子的能量遠(yuǎn)比紅外線高，因此準(zhǔn)分子雷射的功率密度甚高，用以加熱蒸鍍的功能和電子束類似。常被用來披覆成份復(fù)雜的化合物，鍍膜的品質(zhì)甚佳.它和電子束加熱或?yàn)R射的過程有基本上的差異，準(zhǔn)分子雷射脫離的是微細(xì)的顆粒，后者則是以分子形式脫離。(5)電弧加熱：陰極電弧沉積的優(yōu)點(diǎn)為：①蒸鍍速率快，可達(dá)每秒1.0微米；②基板不須加熱；③可鍍高溫金屬及陶瓷化合物；④鍍膜密高且附著力佳。

PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應(yīng)離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍），以下介紹幾種常用的方法。電子束蒸發(fā)電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。特征：真空環(huán)境；蒸發(fā)源材料需加熱熔化；基底材料也在較高溫度中；用磁場控制蒸發(fā)的氣體，從而控制生成鍍膜的厚度。濺射沉積濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術(shù)。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應(yīng)濺射等

PVD鍍膜與傳統(tǒng)化學(xué)電鍍（水電鍍）的異同：PVD鍍膜與傳統(tǒng)的化學(xué)電鍍的相同點(diǎn)是，兩者都屬于表面處理的范疇，都是通過一定的方式使一種材料覆蓋在另一種材料的表面。兩者的不同點(diǎn)是：PVD鍍膜膜層與工件表面的結(jié)合力更大，膜層的硬度更高，耐磨性和耐腐蝕性更好，膜層的性能也更穩(wěn)定；PVD鍍膜不會(huì)產(chǎn)生有毒或有污染的物質(zhì)。PVD鍍膜技術(shù)目前主要應(yīng)用的行業(yè)：PVD鍍膜技術(shù)的應(yīng)用主要分為兩大類：裝飾鍍膜和工具鍍膜。

由于該工藝過程具有炸性質(zhì)，并可形成液化金屬的液滴，因此可能導(dǎo)致涂層表面粗糙。引入反應(yīng)氣體從而形成化合物2)濺射（電離度低）：濺射是用高能粒子轟擊靶材而使原子從固體靶材上彈出的過程。在薄膜涂層中，這是通過加速朝向固體靶材的ya離子，使其在靶材上擊出金屬原子并聚集在工件上來實(shí)現(xiàn)的。通過在真空腔室中引入氣體而形成如金屬氮化物等化合物。國內(nèi)外技術(shù)對比分析：①整體差距：調(diào)查資料顯示：目前，國外PVD涂層行業(yè)的生產(chǎn)設(shè)備一般技術(shù)力量雄厚，工藝裝備精良，檢測手段齊全，并擁有全國先進(jìn)的大噸位及配套生產(chǎn)設(shè)備，具有較強(qiáng)的生產(chǎn)能力。