IGBT的驅(qū)動(dòng)電路特點(diǎn)（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。目前主流恒流源驅(qū)動(dòng)芯片移位時(shí)鐘頻率一般都在15-25MHz以上。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時(shí)，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時(shí)主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。其功能與74HC595相似，只是TB62726是16位移位鎖存器，并帶輸出電流調(diào)整功能，但在并行輸出口上不會(huì)出現(xiàn)高電平，只有高阻狀態(tài)和低電平狀態(tài)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對(duì)比：

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

?數(shù)碼管驅(qū)動(dòng)電路中三極管

三極管是用來做驅(qū)動(dòng)的作用，

因?yàn)樵谝话愕目刂破鬏敵鲵?qū)動(dòng)能力較弱，采用三極管進(jìn)行放大電流，

使得能夠驅(qū)動(dòng)能力提高。

當(dāng)然如果在數(shù)碼管可接受的范圍內(nèi)，電流越大，數(shù)碼管越亮。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。與國內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。

用什么直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片（二）

2 ML4428原理圖及功能實(shí)現(xiàn)

ML4428電機(jī)控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(jī)(BLDC)提供起動(dòng)和調(diào)速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝，它的內(nèi)部框圖如圖1所示〔1〕，ML4428使用鎖相環(huán)技術(shù)，從電機(jī)線圈檢測(cè)反電勢(shì)，確定換向次序；采用專門的反電勢(shì)檢測(cè)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機(jī)緩沖電路的影響；采用了檢查轉(zhuǎn)子位置并準(zhǔn)確對(duì)電機(jī)加速的起動(dòng)技術(shù)，確保起動(dòng)時(shí)電機(jī)不會(huì)反轉(zhuǎn)并可縮短起動(dòng)時(shí)間。但是隨著MOSFET技術(shù)的不斷演進(jìn)，今日的CMOS技術(shù)也已經(jīng)可以符合很多模擬電路的規(guī)格需求。

2.1 反電勢(shì)檢測(cè)信號(hào)的獲得

無位置傳感器無刷直流電動(dòng)機(jī)的控制與有位置傳感器無刷直流電機(jī)控制的根本區(qū)別就是利用反電勢(shì)的波形尋找換向點(diǎn)。當(dāng)永磁無刷直流電動(dòng)機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)，各相繞組的反電動(dòng)勢(shì)(EMF)與轉(zhuǎn)子位置密切相關(guān)。MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的另外一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）信號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。由于各相繞組是交替導(dǎo)通工作的，在某相不導(dǎo)通的時(shí)刻，其反電動(dòng)勢(shì)波形的某些特殊點(diǎn)，可代替轉(zhuǎn)子位置傳感器的功能，得到所需要的信息。

由于對(duì)于單相反電動(dòng)勢(shì)波形圖，反電動(dòng)勢(shì)過零點(diǎn)30°處對(duì)應(yīng)繞組的換向信號(hào)，找出反電動(dòng)勢(shì)過零點(diǎn)，即反電動(dòng)勢(shì)檢測(cè)的任務(wù)〔2〕?；谶@一原理，在該芯片內(nèi)設(shè)計(jì)了一個(gè)獨(dú)特的反電勢(shì)檢測(cè)電路(見圖2)，由于有了中點(diǎn)模擬電路，不需從電機(jī)三相繞組中引出中線

驅(qū)動(dòng)IC廠聚積在MiniLED良率達(dá)到99%，明年首季產(chǎn)出放量，隨著顯示屏采用MiniLED，聚積已備妥方案準(zhǔn)備大談商機(jī)，業(yè)內(nèi)人士預(yù)期2019年業(yè)績將挑戰(zhàn)歷史高峰。因此，無位置傳感器無刷直流電機(jī)成為理想選擇，并具有廣闊的發(fā)展前景，但它的控制電路相當(dāng)復(fù)雜。瑞泰威驅(qū)動(dòng)IC廠家，是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，專業(yè)從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

聚積目前除了與中國品牌手機(jī)客戶合作，在小間距LED顯示屏的畫面質(zhì)量逐漸朝向高標(biāo)準(zhǔn)HDR，MiniLED HDR 10的se域范圍BT.2020，明年首季開始大量產(chǎn)出，對(duì)比度已達(dá)到25,000：1，由于HDR能表現(xiàn)出與人眼所能感知的動(dòng)態(tài)范圍相近，提高畫面亮度，控制暗部畫面的亮度，強(qiáng)化明暗畫面之間的對(duì)比度，營造出更加接近現(xiàn)實(shí)的自然觀感，因此，聚積目前已與韓系客戶洽談合作，跨入大型屏幕劇院開發(fā)，可望在2019年傳來佳音。2ML4428原理圖及功能實(shí)現(xiàn)ML4428電機(jī)控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(jī)(BLDC)提供起動(dòng)和調(diào)速所需的各種功能。