高速旋轉(zhuǎn)金剛石研磨機研磨盤轉(zhuǎn)速對材料去除速率和表面粗糙度的影響

通常情況下，增大高速旋轉(zhuǎn)金剛石研磨機研磨盤轉(zhuǎn)速可以提高研磨液產(chǎn)品研磨加工效率，但當速度過高時，會產(chǎn)生研磨運動平穩(wěn)性降低、研磨盤磨損加快等具體問題，從而降低藍寶石襯底表面加工質(zhì)量。高速旋轉(zhuǎn)金剛石研磨機研磨盤轉(zhuǎn)速對材料去除速率和表面粗糙度值Ra的影響。

從圖5可以看出：當高速旋轉(zhuǎn)金剛石研磨機研磨盤轉(zhuǎn)速從40r/min增大至97r/min時，去除速率從0.66μm/min提高至1.16μm/min，去除速率提高幅度達75%。

當研磨盤轉(zhuǎn)速從40r/min提高至80r/min時，表面粗糙度值僅從15nm略微增至17nm；當轉(zhuǎn)速進一步增大至97r/min時，由于盤面的穩(wěn)定性受到影響，因此，粗糙度增大至18nm。

隨著高速旋轉(zhuǎn)金剛石研磨機研磨壓力增大，金剛石磨料在工件表面產(chǎn)生的切削深度值越大，因此工件表面粗糙度值變大。當壓力從6.89kPa增大至20.65kPa時，

表面粗糙度值Ra從14nm提高至18nm，繼續(xù)增大壓力至27.58kPa，由于金剛石磨料壓人工件表面的深度值已達到zui大值，因此其表面粗糙度值不變。在批量研磨過程中，當高速旋轉(zhuǎn)金剛石研磨機研磨壓力超過27.58kPa后，少zui基片出現(xiàn)微裂紋現(xiàn)象。因此，綜合材料去除速率和表面粗糙度值Ra兩方面的考慮，優(yōu)選研磨壓力為20.68kPa。

無損耗氣浮鉆石拋光機的三大保養(yǎng)秘訣

夏季是多雨季節(jié)，無損耗氣浮鉆石拋光機應該避免雨淋和暴曬，這樣可以增加外觀壽命，長期雨淋，雨水浸入設備接觸部位，會誘發(fā)銹漬，使漆面脫落，應該注意日常防范，如發(fā)現(xiàn)有銹漬及時消除。

如果在高溫下暴曬，由于無損耗氣浮鉆石拋光機機體都是鋼材設計，吸熱強，短期使溫度增加到60度以上，是設備軸承部位高溫，引起潤滑脂過熱而融化，使轉(zhuǎn)動部位缺潤滑油，軸承減短使用壽命。高速旋轉(zhuǎn)刀具研磨機

為了無損耗氣浮鉆石拋光機機器更好的工作，日常維護不可無視?？紤]到以上問題，所以將在機器下平臺時，進行烤漆處理，使漆面更加經(jīng)久耐用。盡管質(zhì)量再好，日常保養(yǎng)是不可缺少的。掌握無損耗氣浮鉆石拋光機的保養(yǎng)，來延長機械的使用年限，帶來更大的利益，有效減少投資是非常重要的

無損耗氣浮鉆石拋光機屬于拋光機的一種，今天是主要講無損耗氣浮鉆石拋光機拋光機的保養(yǎng)方面，以便讓大家能夠更深入的認識，不足之處，請大家諒解。

1、無損耗氣浮鉆石拋光機 拋光機的外表及電機部位，要定期清理上面的粉末，并檢查緊固手柄、進給手輪等部位。

2、 無損耗氣浮鉆石拋光機整機保養(yǎng)方面：主要有檢查潤滑部位的潤滑狀況，導軌要保持清潔，不要有拋光粉末，松緊要合適，以免出現(xiàn)磨損。軸承方面如果出現(xiàn)嚴重磨損應及時換新。

3、 電器方面：無損耗氣浮鉆石拋光機電機要定期清掃上面的粉塵，否則會影響電機的散熱，各電器裝置要緊固可靠，各按鈕要保持按動靈活。高速旋轉(zhuǎn)刀具研磨機

PCB氣浮鉆石研磨機

PCB氣浮鉆石研磨機在對于PCB的分析過程中，切片分析是一項很重要的手段，通用的切片制作方法一般參考IPC-TM-650 2.1.1節(jié)的要求。通過切片分析可以得到反映PCB（通孔、鍍層等）質(zhì)量和PCBA焊點（IMC、空洞等）質(zhì)量的微觀結構的豐富信息，為下一步的質(zhì)量改進提供很好的依據(jù)。

PCB氣浮鉆石研磨機切片按研磨方向分為垂直切片和水平切片兩種。垂直切片即沿垂直于板面的方向切開，觀察剖面狀況，通常用來觀察孔鍍銅后的品質(zhì)、疊層結構及內(nèi)部結合面的狀況。垂直切片是切片分析中zui常用的方式。PCB氣浮鉆石研磨機水平切片是順著板子的疊合方向一層層向下研磨，用來觀察每一層面的狀況，通常用來輔助垂直切片進行品質(zhì)異常的分析判定，如內(nèi)短或內(nèi)開異常等。

PCB氣浮鉆石研磨機切片制作一般包括取樣、鑲嵌、切片、拋磨、腐蝕、觀察等一系列手段和步驟以獲得光潔的PCB橫截面結構。然后通過如金相顯微鏡和掃描電鏡等對切片進行微觀細節(jié)分析，只有對切片做出正確的判讀，才能做出正確的分析從而給出有效的解決措施。因此PCB氣浮鉆石研磨機切片質(zhì)量尤為重要，質(zhì)量差的切片會給失效問題分析帶來嚴重的誤導和誤判。金相顯微鏡作為zui主要的分析設備，其放大倍率從50到1000倍不等，測量精度偏差在1μm以內(nèi)。