鍍膜設(shè)備原理及工藝

主要濺射方式：

反應(yīng)濺射是在濺射的惰性氣體氣氛中,通入一定比例的反應(yīng)氣體,通常用作反應(yīng)氣體的主要是氧氣和氮?dú)狻?

直流濺射(DC Magnetron1 Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron1 Sputtering)、脈沖濺射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)

直流濺射方法用于被濺射材料為導(dǎo)電材料的濺射和反應(yīng)濺射鍍膜中,其工藝設(shè)備簡單,有較高的濺射速率。

中頻交流磁控濺射在單個陰極靶系統(tǒng)中,與脈沖磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶(Twin2Mag)濺射系統(tǒng)中,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端,分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓,一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。孿生靶濺射技術(shù)大大提高磁控濺射運(yùn)行的穩(wěn)定性,可避免被毒化的靶面產(chǎn)生電荷積累,引起靶面電弧打火以及陽極消失的問題,濺射速率高,為化合物薄膜的工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費(fèi)，又會在制備多層膜時造成各層的污染。

連續(xù)式的磁控濺射生產(chǎn)線 總體上可以分為三個部分: 前處理, 濺射鍍膜, 后處理。

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磁控濺射鍍膜機(jī)的注意事項(xiàng)

1、保持機(jī)器內(nèi)艙各部位的清潔；

2、關(guān)注真空度指標(biāo)；

3、檢查并記錄抽真空的時間，如有延長，立刻檢查造成的原因；

4、記錄濺射功率和時間（一般濺射機(jī)的銀靶設(shè)定功率為0.6千瓦，金靶的設(shè)定功率為0.75千瓦，鉻的行走速率為9000pps），如有異常，立刻檢查造成的原因；

5、根據(jù)鍍出石英振子的散差，調(diào)整遮擋板的各部尺寸；

6、濺鍍后的石英振子要用3M膠帶檢查其牢固度；

7、測試并記錄鍍好的石英振子主要指標(biāo)，如：頻率、電阻、DLD等；

8、將不良品挑出：電極錯位、劃傷、臟污、掉銀等（工位上要有不良品示意圖）。

以上就是為大家介紹的全部內(nèi)容，希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射鍍膜設(shè)備機(jī)的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。

磁控濺射

磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。