背壓法氦質譜檢漏

采用背壓法檢漏時，首先將被檢產(chǎn)品置于高壓的氦氣室中，浸泡數(shù)小時或數(shù)天，如果被檢產(chǎn)品表面有漏孔，氦氣便通過漏孔壓入被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封腔中，使內(nèi)部密封腔中氦分壓力上升。然后取出被檢產(chǎn)品，將表面的殘余氦氣吹除后再將被檢產(chǎn)品放入與檢漏儀相連的真空容器內(nèi)，被檢產(chǎn)品內(nèi)部密封腔內(nèi)的氦氣會通過漏孔泄漏到真空容器，再進入氦質譜檢漏儀，從而實現(xiàn)被檢產(chǎn)品總漏率測量。檢漏儀給出的漏率值為測量漏率，需要通過換算公式計算出被檢產(chǎn)品的等效標準漏率。86×10-5Pa·s，1L液氦氣化為標準狀態(tài)下的氦氣體積為700L。

背壓法的優(yōu)點是檢測靈敏度高，能實現(xiàn)小型密封容器產(chǎn)品的泄漏檢測，可以進行批量化檢測。

背壓法的缺點是不能進行大型密封容器的漏，否則由于密封腔體容積太大，導致加壓時間太長。此外，每個測量漏率都對應兩個等效標準漏率，在細檢完成后還需要采用其它方法進行粗檢，排除大漏的可能。

背壓法的檢漏標準主要有QJ3212-2005《氦質譜背壓檢漏方法》、GJB360A-1996《電子及電氣元件試驗方法方法112 密封試驗》，主要應用于各種電子元器件產(chǎn)品檢漏。

在試漏區(qū)避免穿堂風對吸槍的影響

通常在生產(chǎn)環(huán)境中，在不同的區(qū)域之間由于溫差、風扇或其它形成空氣流動因素出現(xiàn)而導致空氣的流動，而任何空氣流動對于檢漏能力都具有一定的作用，因為被檢測的氣體將被穿堂風吹離吸槍探尖的開口為取得良好的測試結果，試漏區(qū)應屏蔽這些風帶來的不良影響。

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氦氣在在半導體中的檢漏作用

為了防止半導體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質而導致性能退化，就必須采用管殼來密封。但是在管殼的封接處或者引線接頭處往往會因為各種原因而產(chǎn)生一些肉眼難以發(fā)現(xiàn)的小洞，所以在元器件封裝之后，就需要采取某些方法來檢測這些小洞的存在與否。 氦氣檢漏就是采用氦氣來檢查電子元器件封裝管殼上的小漏洞。因為氦原子的尺寸很小，容易穿過小洞而進入到管殼內(nèi)部，所以這種檢測方法能夠檢測出尺寸很小的小洞（即能夠檢測出漏氣速率約為10?11～10?12cm3/sec的小洞），靈敏度可與性檢漏方法匹敵，但要比性檢漏方法簡便。縱然所有連接件是完全密閉的，但在連接或拆卸的過程中難免會釋放少量的檢漏氣體。

氦氣檢漏試驗的方法：首先把封裝好的元器件放入充滿氦氣的容器中，并加壓，讓氦氣通過小洞而進入管殼中；然后取出，并用壓縮空氣吹去管殼表面的殘留氦氣；接著采用質譜儀來檢測管殼外表所漏出的氦氣。