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正性光刻膠
正性光刻膠
正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的粘附性、化學(xué)抗蝕性,當(dāng)沒有溶解存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中,感光劑是光敏化合物,常見的是重氮萘醌(DNQ)。在曝光前,DNQ是一種強(qiáng)烈的溶解,降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻膠中化學(xué)分解,成為溶解度增強(qiáng)劑,大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應(yīng)會在DNQ中產(chǎn)生羧酸,它在顯影液中溶解度很高。2μm品牌產(chǎn)地型號厚度耐熱溫度應(yīng)用Futurrex美國PR1-500A0。正性光刻膠具有很好的對比度,所以生成的圖形具有良好的分辨率。
光刻膠市場
全球光刻膠市場擴(kuò)增,對光刻膠的總需求不斷提升。據(jù)估計,2015年國際光刻膠市場達(dá)73.6億美元,其中PCB光刻膠占比24.5%,LCD光刻膠占26.6%,半導(dǎo)體光刻膠占比24.1%。2010年到2015年期間,國際光刻膠市場年復(fù)合增長率約為5.8%;同種厚度的正負(fù)膠,在對于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌,正膠難以企及。據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù),2015年,PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的國際市場增速均在5%左右。在下游產(chǎn)業(yè)的帶動下,江瀚咨詢預(yù)計國際光刻膠市場規(guī)模在2022年可能突破100億美元。
光刻膠去除
半導(dǎo)體器件制造技術(shù)中,通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。
在現(xiàn)有技術(shù)中,去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)置于去膠機(jī)內(nèi),在射頻電壓的能量的作用下,灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發(fā)生反應(yīng),從而將光刻膠層去除。
而在一些半導(dǎo)體器件設(shè)計時,考慮到器件性能要求,需要對特定區(qū)域進(jìn)行離子注入,使其滿足各種器件不同功能的要求。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時,需要利用前面存儲單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域,由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層,在摻雜的過程中,光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子,這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。通過在較高溫度下進(jìn)行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(前烘后溶劑含量降至5%左右),從而降低了灰塵的沾污。
這層堅硬的外殼可以采取兩種現(xiàn)有方法去除:方法一,采用濕法刻蝕,但這種工藝容易產(chǎn)生光刻膠殘留;方法二,先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼,再采用傳統(tǒng)的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法,但是這種方式增加了一步工藝流程,浪費(fèi)能源,而且降低了生產(chǎn)效率;超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中,國內(nèi)公司中,蘇州瑞紅與北京科華實(shí)現(xiàn)了部分品種的國產(chǎn)化,但是整體技術(shù)水平較低,僅能進(jìn)入8英寸集成電路生產(chǎn)線與LED等產(chǎn)線。同時,傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時,光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內(nèi)部的熱量的散發(fā),光刻膠內(nèi)部膨脹應(yīng)力增大,導(dǎo)致層多晶硅倒塌的現(xiàn)象。
NR9-1000py
問題回饋:
1.我們是LED制造商,麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。
A 據(jù)我所知,F(xiàn)uturrex
有幾款膠很,NR7-1500P
NR7-3000P是專門為離子蝕刻
設(shè)計的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。
2.請問有沒有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產(chǎn)品?
A 美國光刻膠,F(xiàn)uturrex
正膠PR1-2000A
, 去膠液RR4,和顯影液RD6可以解決以上問題。
3.你們是否有可以替代Shipley
S1805的用于DVD的應(yīng)用產(chǎn)品?
A 我們建議使用Futurrex
PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點(diǎn):比較好的解析度,比較好的線寬控制,
反射比較少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~
4. 求助,耐高溫的光阻是那一種?
A Futurrex, NR7 serious(負(fù)光阻)Orpr1 serious(正光阻),再經(jīng)過HMCTS
silyiation process,可以達(dá)到耐高溫200度,PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。
5.厚膜光阻在鍍金應(yīng)用上,用哪一種比較理想?
A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。
6.請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合?
A 可以考慮使用Futurrex
,正型光阻PR1,負(fù)型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
7.請問,那位專家知道,RIE
Mask,用什么光阻比較好?
A 正型光阻用PR1系列,負(fù)型光阻使用NR5,兩種都可以耐高溫180度。
8.一般厚膜制程中,哪一種光阻適合?
A NR9-8000P有很高的深寬比(超過4:1),一般厚膜以及,MEMS產(chǎn)品的高需求。
9.在DEEP
RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎?
A 建議不使用,因?yàn)槭褂肗R5-8000更加理想和適合。
10.我們是OLED,我們有一種制程上需要一層SPACER,那種光阻適合?
A 有一種膠很適合,美國Futurrex
生產(chǎn)的NR1-3000PY
and和
NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers