ITO真空鍍膜設(shè)備生產(chǎn)特點(diǎn)

1)真空室體資料選用SUS304，真空室內(nèi)壁進(jìn)行拋光處理，外壁選用拋光后噴珠處理。

2)真空室之間選用獨(dú)立門閥-插板閥隔開，能夠完成有用隔斷，安穩(wěn)技能氣體。現(xiàn)在咱們至成真空科技選用插板閥規(guī)劃，它比現(xiàn)在國(guó)內(nèi)通用的翻板閥密封作用非常好，更經(jīng)用。

3)傳動(dòng)選用磁導(dǎo)向，確保傳動(dòng)的安穩(wěn)性。整條出產(chǎn)線的各段速度選用變頻調(diào)速電機(jī)驅(qū)動(dòng)，運(yùn)轉(zhuǎn)速度可調(diào)理。

4)真空電鍍?cè)O(shè)備電氣操控體系：觸摸屏與PLC自動(dòng)操控，人機(jī)對(duì)話辦法來(lái)完成體系的數(shù)據(jù)顯現(xiàn)、操作與操控

影響離子鍍膜層質(zhì)量的工藝參數(shù)

①基片偏壓.

離子鍍膜基片施加負(fù)偏壓后；各種離子和高能中性粒子流以較高的能量轟擊基片表面．基片負(fù)偏壓的提高，會(huì)使基片表面獲得更高的能量，可能形成偽擴(kuò)散層，提高膜層與基體的附著力，還可以改變膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能，如細(xì)化晶粒，圖2表明，隨著基片負(fù)偏壓的提高，膜層組織變細(xì)，但是，基片負(fù)偏壓的提高也會(huì)產(chǎn)生一些不利的影響，如反濺射作用的增加，使膜層表面受到刻蝕，使表面光潔程度降低，圖3表明了空心陰極離子鍍鉻時(shí)，基片負(fù)偏壓對(duì)鉻膜表面光澤度的影響，基片負(fù)偏壓的提高還會(huì)使沉積速率降低，使基片溫度升高，圖4表明了電弧離子鍍tin膜基片負(fù)偏壓對(duì)沉積速率的影響，因此，應(yīng)根據(jù)不同的離子鍍方法、不同的膜層及使用要求選擇適當(dāng)?shù)幕?fù)偏壓。

②鍍膜真空度和反應(yīng)氣體分壓.

離子鍍膜真空度對(duì)膜層組織、性能的影響與真空蒸鍍時(shí)的影響規(guī)律相似，但反應(yīng)氣體分壓對(duì)反應(yīng)離子鍍鍍制化合物膜的成分、結(jié)構(gòu)和性能有直接的影響，圖5是hcd離子鍍tin膜的硬度與氮?dú)夥謮旱年P(guān)系，因此反應(yīng)氣體的分壓應(yīng)根據(jù)離子鍍方法，化合物膜層的成分、性質(zhì)、使用要求以及設(shè)備來(lái)選擇

③基片溫度.

離子鍍膜基片溫度的高低直接影響著膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能。一般情況下，溫度的升高有利于提高膜層與基片的附著力，有利于改善膜層的組織與性能。但是，溫度過高，則會(huì)使沉積速率降低，有時(shí)還會(huì)使膜層晶粒粗大，性能變壞；圖6中hcd離子鍍鉻膜顯微硬度受基片溫度影響的規(guī)律。另外，基片溫度的選擇還要受基片材料性質(zhì)的限制，如鋼材的回火溫度等

④蒸發(fā)源功率．

蒸發(fā)源功率對(duì)蒸發(fā)速率有直接的影響，進(jìn)而影響沉積速率，影響膜層的組織、性能，對(duì)反應(yīng)沉積化合膜時(shí)蒸發(fā)源功率也將影響膜層的成分。

為了獲得所需性能的膜層，應(yīng)綜合分析、考慮各種因素，迭擇鍍膜方法和確定合理的鍍膜工藝參數(shù)。

真空鍍膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)分析

真空鍍膜技術(shù)優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在哪里？真空鍍膜技術(shù)在塑料制品上的應(yīng)用廣泛，真空鍍膜機(jī)廠表示，塑料具有易成型，成本低，質(zhì)量輕，不腐蝕等特點(diǎn)，塑料制品應(yīng)用廣泛，但因其缺點(diǎn)制約了擴(kuò)大應(yīng)用。通過真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用，使塑料表面金屬化，將有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料結(jié)合起來(lái)，大大提高了它的物理、化學(xué)性能。真空鍍膜技術(shù)優(yōu)點(diǎn)主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

1、使塑料表面有導(dǎo)電性；

2、容易清洗，不吸塵。

3、改善美觀，表面光滑，金屬光澤彩色化，裝飾性大大提高；

4、減少吸水率，鍍膜次數(shù)愈多，孔愈少，吸水率降低，制品不易變形，提高耐熱性；

5、改善表面硬度，原塑膠表面比金屬軟而易受損害，通過真空鍍膜技術(shù)，硬度及耐磨性大大增加；

6、可以提高耐候性，一般塑料在室外會(huì)老化的非?？?，主要原因是紫外線照射所致，而鍍鋁后，鋁對(duì)紫外線反射強(qiáng)，所以耐候性大大提高。

新型磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍膜工藝

磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍膜工藝在鍍膜行業(yè)無(wú)處不在，只要說到鍍膜技術(shù)，大家都會(huì)立刻想到磁控鍍膜工藝，磁控濺射真空鍍膜機(jī)也受到了各大廠家的追捧，磁控濺射鍍膜工藝更是受到大家的喜愛，今天至成小編為大家介紹一下磁控濺射鍍膜機(jī)鍍膜工藝。

其實(shí)從一般的金屬靶材濺射、反應(yīng)濺射、偏壓濺射等,伴隨著工業(yè)需求及新型磁控濺射技術(shù)的出現(xiàn),低壓濺射、高速沉積、自支撐濺射沉積、多重表面工程以及脈沖濺射等新型工藝成為目前該領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)。低壓濺射的關(guān)鍵問題是在低壓(一般是指<011Pa)下,電子與氣體原子的碰撞幾率降低,在常規(guī)磁控濺射技術(shù)中不足以維持靶材表面的輝光放電,導(dǎo)致濺射沉積無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。通過優(yōu)化磁場(chǎng)設(shè)計(jì),使得電子空間運(yùn)動(dòng)距離延長(zhǎng),非平衡磁控濺射技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)在10-2Pa等級(jí)的真空下進(jìn)行濺射沉積。另外,通過外加電磁場(chǎng)約束電子運(yùn)動(dòng)可以實(shí)現(xiàn)更低壓強(qiáng)下的濺射沉積。進(jìn)行高速沉積可以極大的提高工作效率、減少工作氣體消耗以及獲得新型膜層。實(shí)現(xiàn)高速沉積主要需要解決的問題是在提高靶材電流密度的同時(shí),不會(huì)產(chǎn)生弧光放電;由于功率密度的提高,靶材、襯底的冷卻能力需要相應(yīng)提高等。目前,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了靶材功率密度超過100W/cm2,沉積速率超過1μm/min。