晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN晶體如需減小驅(qū)動功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負(fù)載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會減小，實際驅(qū)動功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應(yīng)保證振蕩裕量超過 Re 的 5 倍；KOAN圓柱晶體（kHz&MHz）修改彎曲引腳注意事項在修改彎曲引腳時，應(yīng)該避免強制拔出。減小外部負(fù)載電容，振蕩電路阻抗將會增加，實際驅(qū)動功率將會減小。而負(fù)載電容減小，實際振蕩頻率將會增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負(fù)載晶體配合調(diào)整。

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KOAN 晶體諧振器如何選用合適的振蕩 IC

振蕩 IC 制造商的差異造成電路常數(shù)差異，以及電路配置的差異，可能會對晶體單元的振蕩產(chǎn)生一定的影響。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)，稱為“不規(guī)則振蕩”，調(diào)整阻尼電阻和外部負(fù)載電容，可以減少不規(guī)則振蕩發(fā)生的幾率?；蛘呤褂醚b有單個 C-MOS 的逆變器 (也稱為“非緩沖型”逆變器)。如果將KOAN晶振進行密封包裝（例如放入密封的塑料袋或者密封的器皿內(nèi)），則保存時間應(yīng)該在12個月或者以上，依然保證晶體有良好的可焊性。

KOAN 圓柱晶體 （kHz & MHz ）修改彎曲引腳注意事項

在修改彎曲引腳時，應(yīng)該避免強制拔出。否則會引起 4.玻璃珠的裂掉，因而導(dǎo)致殼內(nèi)真空濃度下降，從而影響產(chǎn)品的特性。正確做法是：壓住外殼基測的引腳，從上下方壓住彎曲的部位進行修改。在彎曲引腳時，引腳要留下距離外殼 0.5mm 的直線部位。如果不留出，將會導(dǎo)致玻璃珠的裂掉。其與外圍電路匹配振蕩輸出信號，而較好的電容匹配和理想負(fù)電阻決定著信號波形質(zhì)量，因此需要對晶體及外圍回路的關(guān)鍵電性能參數(shù)深入了解，才能實現(xiàn)高標(biāo)準(zhǔn)匹配。在引腳焊接完畢之后再將引腳彎曲時，需要留出大于外殼直徑長度的空閑部分