測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數(shù)也會存在個體差異。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數(shù)，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環(huán)節(jié)可靠運行。負載電感 配備自動切換開關，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

測試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數(shù), 所有小電流指標保證1%重復測試精度, 大電流指標保證2%以內(nèi)重復測試精度。集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

半導體元件全自動測試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0。 可選購外部高壓模塊，執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。

目的和用途 該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2.測試參數(shù)及指標 2.1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數(shù)： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW