真空腔體

一般真空腔體內(nèi)部是規(guī)則的長(zhǎng)方體,用一面加熱進(jìn)行熱輻射的方式熱傳導(dǎo)不能合理涵蓋整個(gè)腔體的內(nèi)部空間,所以效果不是很理想,.經(jīng)過試驗(yàn)論證,采取在真空腔體內(nèi)正上方、正下方、左側(cè)面、右側(cè)面各安裝一套加熱板加熱的方法,采用面對(duì)面熱輻射方式對(duì)腔體內(nèi)部進(jìn)行加熱.

由于設(shè)備在真空狀態(tài)下采用了上,下,左,右四面四路加熱的方法,比單純一路加熱就要復(fù)雜多了,這也是溫度控制的難點(diǎn).因此采用PID來進(jìn)行溫度控制調(diào)節(jié),控溫?zé)崤荚O(shè)置在腔體內(nèi)部,這樣可以更好地控制真空腔體內(nèi)的溫度.

影響真空絕緣水平的主要因素

真空度

顯現(xiàn)了空隙擊穿電壓和氣體壓強(qiáng)之間的關(guān)系。由圖可以看到真空度高于10-2Pa時(shí)，擊穿電壓基本上不再跟著氣體壓力的下降而增大，因?yàn)闅怏w分子碰撞游離現(xiàn)象已不復(fù)興效果。當(dāng)氣體壓力從10-2Pa逐步升高時(shí)(真空度下降)，擊穿強(qiáng)度逐步下降，以后又隨氣壓的而。從曲線上可以看出真空度高于10-2Pa時(shí)其耐壓強(qiáng)度基本上堅(jiān)持不變。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)報(bào)告顯示,中國(guó)目前正在天津、西安、北京、上海等16個(gè)地區(qū)打造25個(gè)FAB建設(shè)項(xiàng)目,福建晉華集成電路、長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司等企業(yè)技術(shù)水平雖不及韓國(guó),但均已投入芯片量產(chǎn)。這就標(biāo)明，真空滅弧室的真空度在10-2Pa以上時(shí)完全可以滿足正常的運(yùn)用需求。

半導(dǎo)體真空腔體制造技術(shù) 

真空腔體在薄膜涂層、微電子、光學(xué)器件和材料制造中，是一種能適應(yīng)高真空環(huán)境的特殊容器。真空腔體通常包括一系列部品——如鐘形罩、基板、傳動(dòng)軸以及輔助井——這些構(gòu)成一個(gè)完整的真空腔體。

復(fù)雜的真空腔體通常需要定制，即針對(duì)應(yīng)用終端進(jìn)行專門的設(shè)計(jì)和制作。某些常見的真空腔體已經(jīng)過預(yù)先設(shè)計(jì)，如手套箱、焊接室、脫氣箱、表面分析真空腔等。例如脫氣箱和手套箱一般采用低真空環(huán)境，可用于焊接，或用于塑料制品、復(fù)合材料層壓板、封裝組件等的脫氣。半導(dǎo)體真空腔體制造技術(shù)真空腔體在薄膜涂層、微電子、光學(xué)器件和材料制造中，是一種能適應(yīng)高真空環(huán)境的特殊容器。

真空設(shè)備包含很多組件，如真空腔體，真空密封傳導(dǎo)件，視口設(shè)置，真空傳感器，真空顯示表，沉積系統(tǒng)，蒸發(fā)源和蒸發(fā)材料，濺鍍靶材，等離子刻蝕設(shè)備，離子注入設(shè)備，真空爐，專用真空泵，法蘭，閥門和管件等。真空設(shè)備常用于脫氣，焊接，制備薄膜涂層，生產(chǎn)半導(dǎo)體/晶圓、光學(xué)器件以及特殊材料等。真空的應(yīng)用范圍極廣,主要分為低真空、中真空、高真空和超高真空應(yīng)用。