反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼?，使反?yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。四氟化碳有時(shí)會(huì)用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。溫室氣體，其造成溫室效應(yīng)的作用是二氧化碳的數(shù)千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩(wěn)定，而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。在全球范圍內(nèi)，高純度四氟化碳應(yīng)用于歐洲、亞太地區(qū)、北美、中東、非洲和南美洲等地區(qū)，受電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度不同影響，對(duì)于高純度四氟化碳的需求也不同，亞洲地區(qū)由于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展落后，近幾年電子電器行業(yè)處于快速發(fā)展?fàn)顟B(tài)，因此使得該地區(qū)的高純度四氟化碳消費(fèi)量持續(xù)攀升。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險(xiǎn)。隨著芯片制程向7納米邁進(jìn)，細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高，在此背景下，我國(guó)高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險(xiǎn)。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼?，并通過加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。產(chǎn)品經(jīng)除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。