廣州欣貝科技有限公司是一家專業(yè)鈥激光維修第三方維修商，維修品牌有：Lumenis科醫(yī)人、StarMedtec威孚萊、Accu-Tech愛科凱能、raykeen瑞科恩、Potent普東、大族科瑞達(dá)、大華、LISA麗薩、多尼爾、利索等各大品牌。專業(yè)維修團(tuán)隊，十余年維修技術(shù)。技術(shù)質(zhì)量保證，歡迎咨詢?。▽⒐饫w和檢測鏡對接,把光纖的尾端對著明亮的光源,觀察光纖與機(jī)器對接的端面。

維修服務(wù)：鈥激光維修、鈥激光租賃、鈥激光光纖

欣貝-科醫(yī)人鈥激光維修/鈥激光設(shè)備維修公司

設(shè)備名稱：科醫(yī)人VersaPluse PowerSuite Homium 20 Watt laser

故障現(xiàn)象：開機(jī)系統(tǒng)報錯201

檢測結(jié)果：由于長期使用不斷震蕩導(dǎo)致快門嵌入光耦的鋁板折彎震斷

解決方案：小修，用薄鐵片制作一個折彎，并用螺絲緊固于快門之上，調(diào)整好和光耦的間距，安裝試機(jī)，一次自檢通過！

廣州欣貝科技有限公司是一家專業(yè)鈥激光維修第三方服務(wù)商，專業(yè)維修團(tuán)隊，十余年維修技術(shù)。進(jìn)口配件，精細(xì)精密，專業(yè)專注，維修周期短，性價比高，質(zhì)量保證，歡迎咨詢！

設(shè)備名稱：愛科凱能鈥激光

故障現(xiàn)象：電源故障，無法開機(jī)

檢測結(jié)果：初步判斷是電源問題，經(jīng)檢測發(fā)現(xiàn)是電源損壞，無法使用

解決方案：更換電源，開機(jī)測試，一次通過！

廣州欣貝醫(yī)療科技有限公司是一家專業(yè)鈥激光維修第三方服務(wù)商，維修品牌有：Lumenis科醫(yī)人、StarMedtec威孚萊、Accu-Tech愛科凱能、raykeen瑞科恩、Potent普東、大族科瑞達(dá)、大華、LISA麗薩、多尼爾、利索等各大品牌。專業(yè)維修團(tuán)隊，十余年維修技術(shù)。技術(shù)質(zhì)量保證，歡迎咨詢！型號：Ho：YAG/Nd：YAG波長：2100nm/1064nm平均功率：1-80W/5-100W頻率：5-40Hz/30Hz（5-20W）、60Hz（25-100W）脈沖能量：0。

Litho利索系列鈥激光的脈寬可調(diào)范圍大，當(dāng)治1療硬結(jié)1石時，可使用短脈寬硬結(jié)1石模式；當(dāng)需要將結(jié)1石粉末化時，可使用長脈寬Dusting模式；當(dāng)治1療息1肉等軟組織時，可使用凝固消融模式。

波長：2100nm   平均功率：30W   重復(fù)頻率：3-25Hz    脈沖能量：0.2-4J     脈沖寬度：95-1500us    冷卻系統(tǒng)：內(nèi)置水冷 風(fēng)冷   電源：2220/230V、單相；50/60Hz；10A

廣州欣貝科技有限公司專業(yè)維修鈥激光設(shè)備，進(jìn)口配件，精細(xì)精密，專業(yè)專注，維修周期短，性價比高，質(zhì)量保證！

欣貝-愛科凱能鈥激光維修/鈥激光故障維修

IGBT模塊在使用時的損壞原因

IGBT在使用過程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊，承受過負(fù)荷甚至負(fù)載短路等，可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時的損壞原因主要有以下情況——過電壓損壞和靜電損壞

IGBT在關(guān)斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT器件的1高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發(fā)射極過電壓、高du/dt過壓電等。大多數(shù)過電壓保護(hù)的電路設(shè)計都比較完善，但是對于由高du/dt所導(dǎo)致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結(jié)構(gòu)吸收電路。由于吸收電路設(shè)計的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動態(tài)控制，當(dāng)集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應(yīng)起作用），避免了IGBT因受集電極發(fā)射極過電壓而損壞。檢測結(jié)果：經(jīng)工程師現(xiàn)場檢測排查，發(fā)現(xiàn)觸摸面板故障，觸摸面板無反應(yīng)。

采用柵極電壓動態(tài)控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發(fā)射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當(dāng)IGBT處于感性負(fù)載運(yùn)行時，半橋結(jié)構(gòu)中處于關(guān)斷的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管（續(xù)流二極管）的恢復(fù)，其集電極-發(fā)射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數(shù)情況下，該du/dt值要比IGBT正常關(guān)斷時的集電極-發(fā)射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個瞬間電流，流向柵極驅(qū)動電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導(dǎo)致柵極-發(fā)射極電壓UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現(xiàn)惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)致變換器的橋臂短路。經(jīng)尿1道膀胱結(jié)1石鈥激光碎石術(shù)：適合于膀胱結(jié)1石或尿1道結(jié)1石。