離子植入：其是用來控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序，對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進行摻雜技術(shù)。優(yōu)點在于雜質(zhì)量的控制，雜質(zhì)分布的再重整，及低溫下操作。    離子植入機主要的供廠商為AMAT，中國部份只有中電科電子裝備公司能供應(yīng)。市場預(yù)計今明兩年中國離子植入機需求可達5億美元與7億美元。    沉積：PVD沉積為一種物理制程，此技術(shù)一般使用等惰性氣體，藉由在高真空中將離子以加速撞擊濺鍍靶材后，將靶材原子一個個濺擊出來，使被濺擊出來的材質(zhì)沉積在晶圓表面。    薄膜沉積設(shè)備主要的供應(yīng)商包含應(yīng)用材料、Vaportech、LamResearch、ASM、Tokki等。而中國相關(guān)設(shè)備制造廠有北方華創(chuàng)、沈陽拓荊等。北方華創(chuàng)是中國薄膜沉積設(shè)備龍頭，目前技術(shù)已達到14nm。市場預(yù)計今明兩年中國薄膜沉積設(shè)備需求可達15億美元與20億美元。    測試：在晶圓完成制造之前，會有一道晶圓中測工序。在測試過程中，會檢測每一個芯片的電路功能。

蝕刻機可以分為化學(xué)蝕刻機及電解蝕刻機兩類。在化學(xué)蝕刻中是使用化學(xué)溶液，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)以達到蝕刻的目的，化學(xué)蝕刻機是將材料用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻過程中應(yīng)注意的問題，每一個都特別重要。    1.減少側(cè)蝕和突沿，提高蝕刻系數(shù)側(cè)蝕產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長，側(cè)蝕越嚴重。側(cè)蝕嚴重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴重側(cè)蝕將使制作精細導(dǎo)線成為不可能。    2.提高板子與板子之間蝕刻速率的一致性在連續(xù)的板子蝕刻中，蝕刻速率越一致，越能獲得均勻蝕刻的板子。要達到這一要求，必須保證蝕刻液在蝕刻的全過程始終保持在的蝕刻狀態(tài)。這就要求選擇容易再生和補償，蝕刻速率容易控制的蝕刻液。選用能提供恒定的操作條件和對各種溶液參數(shù)能自動控制的工藝和設(shè)備。通過控制溶銅量，PH值，溶液的濃度，溫度，溶液流量的均勻性(噴淋系統(tǒng)或噴嘴以及噴嘴的擺動)等來實現(xiàn)。    3.高整個板子表面蝕刻速率的均勻性板子上下兩面以及板面上各個部位的蝕刻均勻性是由板子表面受到蝕刻劑流量的均勻性決定的。蝕刻過程中，上下板面的蝕刻速率往往不一致。一般來說，下板面的蝕刻速率高于上板面。因為上板面有溶液的堆積，減弱了蝕刻反應(yīng)的進行。

 用我們的機器生產(chǎn)鏤空切割產(chǎn)品，具有精度高，速度快，成品率高等優(yōu)點，同時藥液使用充分，大大降低生產(chǎn)成本。進料寬度與蝕據(jù)客戶要求定制。    金屬蝕刻機、金屬腐蝕機應(yīng)用范圍:    適用于高精度、金屬標(biāo)牌，高精度薄板金屬電子零部件（如手機金屬按鍵面板、金屬網(wǎng)片、精密過濾網(wǎng)等）加工制造。蝕刻精度：根據(jù)制版而定制版精度0.2微米。