電子產(chǎn)品的靜電放電對(duì)策及改進(jìn)要點(diǎn)

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ESD通常發(fā)生在產(chǎn)物自身袒露在外的導(dǎo)電物體，大概發(fā)生在相近的導(dǎo)電物體上。

對(duì)裝備而言，容易產(chǎn)生靜電放電的部位是：

電纜，鍵盤(pán)及袒露在外的金屬框架以及裝備外殼上的孔，洞，縫隙等。

常用的改進(jìn)方法是在產(chǎn)物ESD發(fā)生或侵入傷害點(diǎn)，比方輸入點(diǎn)和地之間設(shè)置瞬態(tài)掩護(hù)電路，這些電路僅僅在ESD感應(yīng)電壓高出極限時(shí)發(fā)揮作用。

掩護(hù)電路可以包羅多個(gè)電流分流單元。

減小ESD產(chǎn)生的電磁干擾（EMI）影響電子產(chǎn)品或設(shè)備的方法：

完全克制ESD產(chǎn)生的EMI耦合到電路或設(shè)備

以及通過(guò)籌劃工藝增長(zhǎng)設(shè)備固有的ESD抗擾性。

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電路設(shè)計(jì)2

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一個(gè)瞬態(tài)防護(hù)二極管也可以大概對(duì)靜電放電起到有效的掩護(hù)

但須要注意：用二極管固然將瞬態(tài)干擾的電壓限定住了，蛋糕頻干擾因素并沒(méi)有鐫汰。

該電路中一樣平常應(yīng)有與瞬態(tài)防護(hù)二極管并聯(lián)的高頻旁路電容克制高頻干擾。

在電路籌劃及電路板布線方面：

應(yīng)采取門(mén)電路和脈沖選通。

這種輸入方式只有在靜電放電和選通同時(shí)發(fā)生才華造成粉碎。

而脈沖邊沿觸發(fā)輸入方式對(duì)靜電放電引起的瞬變很敏感，不宣接納的。

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通過(guò)電快速脈沖試驗(yàn)的整改措施

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克制EFT干擾的一樣尋常對(duì)策

EFT干擾有以下幾個(gè)特點(diǎn)：

1.EFT干擾以共模方式侵入敏感裝備。

2.EFT干擾在轉(zhuǎn)達(dá)過(guò)程中通過(guò)輻射和傳導(dǎo)兩種方式影響EUT電路。

3.EFT干擾是由一組組的麋集的單極型脈沖構(gòu)成，對(duì)敏感裝備電路結(jié)點(diǎn)的影響具有連續(xù)累積性。

4.EFT干擾侵入敏感裝備的頻率覆蓋中高頻段，且電源端口的頻譜分量比信號(hào)端口低頻分量更豐富。

5.EFT干擾是一種范例的高壓快速脈沖干擾。

6.EFT干擾告急通過(guò)三種路徑影響敏感設(shè)備電路：直接通過(guò)干擾線傳導(dǎo)進(jìn)入敏感設(shè)備電路；通過(guò)干擾線輻射到相鄰的干擾線，在從相鄰干擾線進(jìn)入敏感設(shè)備電路；通過(guò)干擾線輻射輻射直接進(jìn)入敏感設(shè)備電路。

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