IGBT的驅(qū)動電路特點(diǎn)（二）

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。當(dāng)晶體管打開(ON)時(shí)，SourceDriverIC才能夠逐行將控制亮度、灰階、色彩的控制電壓透過晶體管Source端、Drain端形成的通道進(jìn)入Panel的畫素中。

若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；目前用的的一個(gè)H橋驅(qū)動芯片zd：L928N，這個(gè)芯片是很簡單，很便宜，而且很容易買到，一個(gè)芯片里面就集成了2路的H橋電路，還帶PWM控制和電流采集。若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極—發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有在u級的漏電流流過，基本上不消耗功率。

瑞泰威電子元件經(jīng)銷商告訴你LED顯示器驅(qū)動器IC對于micro-LED特小間隔顯示器燈板室內(nèi)空間做更合理地應(yīng)用,高融合作用能合理減縮布件室內(nèi)空間及部件的總數(shù);

此外,在畫質(zhì)主要表現(xiàn)上,低更亮可靠性一直是修羅神欣賞間距與顯示信息實(shí)際效果的重要,單一色調(diào)均值恒流電源驅(qū)動器至少能致15uA,灰度級數(shù)可做到16bit,使顯示信息界面的飽和度與勻稱性更為細(xì)致,另外也可以做到環(huán)保節(jié)能低能耗的實(shí)際效果。

蜂鳴器驅(qū)動IC產(chǎn)品特點(diǎn)

特性1　內(nèi)嵌了電荷泵電源電路，能開展6擋音量調(diào)節(jié)

NJU72501內(nèi)嵌有電荷泵電源電路，以3VP-P震幅鍵入的工作電壓可以較大擴(kuò)大到18VP-P來驅(qū)動器IC。

內(nèi)嵌的電荷泵電源電路由邏輯性數(shù)據(jù)信號操縱可以轉(zhuǎn)換變壓倍率為1倍、2倍、3倍。因而，在單端輸出時(shí)，可以以3擋調(diào)整聲音；在BTL輸出時(shí)，可以以6擋調(diào)整聲音。

特性2　關(guān)機(jī)作用可以降低耗費(fèi)電流量

NJU72501常備關(guān)機(jī)作用，當(dāng)無鍵入數(shù)據(jù)信號時(shí)，此作用將終止內(nèi)部電源電路工作中來提升效益電流量。因而，有益于增加機(jī)器設(shè)備的電池驅(qū)動時(shí)間。