選擇振蕩器時需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

為什么晶振尺寸越小,產品的靈活度越高

近年來，智能手機等移動設備、可穿戴式設備及IoT設備等使用智能的電子設備迅速普及。而且，為了提高產品的設計靈活度和可穿戴舒適度并確保配置新功能所用的空間，要求這些產品上搭載的元器件的尺寸和功耗降低到極限。以晶振為例，在智能硬件還未興起的年代，3225貼片晶振使用較為廣泛，2520也算是尺寸相對較小的無源晶振封裝了。如今，智能產品上所搭載的無源晶振多以1612貼片晶振，2016貼片晶振為主。這些晶振由于體積過于渺小，需要放大鏡甚至顯微鏡才能看清真實面目。電子元器件一致改小，那么它們之間的間距也會縮短，這樣來，有個好處就是能讓不同晶體管終端的電容量降低，從而提升它們的交換頻率。因為每個晶體管在切換電子信號的時候，所消耗的動態(tài)功耗會直接和電流容量相關，從而使得運行速度加快，能耗變小。明白了這一點，也就不難理解為什么制程的數(shù)值越小，制程就越先進；元器件的尺寸越小，處理器的集成度越高，因此靈活度更高，處理器的功耗反而越低的道理了。

差分晶振和壓控晶振

1、差分晶振

差分晶體振蕩器(DXO)是目前行業(yè)中公認高技術，高要求的一款晶體振蕩器，是指輸出差分信號使用2種相位彼此完全相反的信號,從而消除了共模噪聲。差分晶振一般為六腳貼片，輸出類型分為好幾種,LVDS,LV-PECL，具有低電平,低抖動，低功耗等特性。

2、壓控晶振

壓控晶體振蕩器(VCXO)是一種可通過調整外加電壓使晶振輸出頻率隨之改變的晶體振蕩器，主要用于鎖相環(huán)路或頻率微調。壓控晶振的頻率控制范圍及線性度主要取決于電路所用變容二極管及晶體參數(shù)兩者的組合，通常用于鎖相環(huán)路。

晶體振蕩器在當今社會的應用

（1）以滿足當今電子電路溫度都要在125℃以上的所有工業(yè)的要求；（2）石油服務行業(yè)；（3）燃氣渦輪機的控制；（4）測井，隨鉆測井；（5）工業(yè)控制；（6）航空航天應用。我公司提供解決方案，助力油田工程師將產品更快的推向市場，生產各類晶振產品，歡迎來電咨詢！